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公开(公告)号：CN106099366A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610741404.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线，包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元；2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层；该石墨烯层覆于介质板上，且与天线阵列单元之间存在一定的间隙；石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本发明能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合，从而实现阵列天线的紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN105428236A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511025094.9
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。
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公开(公告)号：CN106532248B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201611127672.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种超紧凑的微带贴片阵列天线，包括介质板、天线阵列和金属地板；其中天线阵列和金属地板设置在介质板上；其中天线阵列由2个以上的天线阵列单元组成，每个天线阵列单元包括馈线和辐射贴片；每2个天线阵列单元的辐射贴片之间设有一去耦网络，且该去耦网络与这2个辐射贴片之间均留有一定的间隙；每个去耦网络为2个相互对插的左梳齿和右梳齿所构成的叉指结构。本发明能够在保证天线单元优良的带宽性能情况下，极大降低了阵列间的电磁互耦，保证了一定性能基础上，达到天线的小型化，从而实现阵列天线的超紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN107221732B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201710505085.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/17
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层由n层黑磷片层组成，黑磷片层与片层之间由隔离介质层隔开，所述的保护层用于防止黑磷与空气或水接触，起到保护作用。该极化器开启了基于黑磷的圆极化器的设计，黑磷超材料的各向异性，使得线‑圆极化转换成为可能；而黑磷的面内各向异性也可能对线‑圆极化转换产生影响；同时，黑磷的单层原子的厚度有利于实现圆极化器的小型化。
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公开(公告)号：CN108110433A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711176679.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯‑金属混合超表面的多功能THz极化转换器。自上而下由石墨烯‑金属混合超表面层、二氧化硅衬底层、硅介质基底层和金属地板层组成。石墨烯‑金属混合超表面层由多个石墨烯和金属超表面单元组成，这些石墨烯和金属超表面单元在二氧化硅衬底层的表面呈周期性排列。每个石墨烯和金属超表面单元由金属片和石墨烯片组成。金属片为蝶形，且金属片同时关于表面横向x轴对称和表面纵向y轴对称。本发明能够通过改变加载在石墨烯‑金属混合超表面层和硅介质基底层之间的偏置电压来达到调节石墨烯的费米能级的目的，从而实现本多功能极化转换器本体的线极化偏转和圆极化转换功能的切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107742606A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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公开(公告)号：CN107453012A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710813073.6
申请日：2017-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属-石墨烯混合超表面的双功能调制器，自下而上由单晶硅衬底层、二氧化硅基底层、石墨烯结构层和金属带状线结构层组成；石墨烯结构层包括2个以上的石墨烯单元；每个石墨烯单元由上凸石墨烯环、下凹石墨烯环和2个微型缝隙开口组成；所有的石墨烯单元在二氧化硅基底层上呈规则矩阵排列；金属带状线结构层包括2条以上的金属带状线；每条金属带状线均为长条状；金属带状线的数量与石墨烯结构层的列数相同，每条金属带状线纵向延伸并覆盖在石墨烯结构层对应列的所有石墨烯单元上；所有金属带状线在石墨烯结构层上呈平行排列。本发明利用金属-石墨烯超表面能够在保证调制器调制性能情况下，可以根据激励场与阵列的相对方向变化实现两种模式电磁波的调控，即实现双功能。
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公开(公告)号：CN106877003A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710174740.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
CPC classification number: H01Q15/244
Abstract: 本发明公开了一种反射型超宽带太赫兹极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成；所述的单元结构包括依次堆放的金属地板层、中间介质层和双开口谐振方环结构层；所述的金属双开口谐振方环结构层是由两个成中心对称的L形金属条组成各向异性的双开口方环结构。该极化器具有很强的实用性，能在太赫兹波段超宽带范围内高效地将线极化波转换为圆极化波，而且结构简单，易于加工、在宽入射角范围内仍具有良好的线‑圆极化转换性能、具有极化可重构的特点。此外，通过调整结构参数，该极化器还能用于其它频段，在天线设计、隐身技术等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106532248A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611127672.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种超紧凑的微带贴片阵列天线，包括介质板、天线阵列和金属地板；其中天线阵列和金属地板设置在介质板上；其中天线阵列由2个以上的天线阵列单元组成，每个天线阵列单元包括馈线和辐射贴片；每2个天线阵列单元的辐射贴片之间设有一去耦网络，且该去耦网络与这2个辐射贴片之间均留有一定的间隙；每个去耦网络为2个相互对插的左梳齿和右梳齿所构成的叉指结构。本发明能够在保证天线单元优良的带宽性能情况下，极大降低了阵列间的电磁互耦，保证了一定性能基础上，达到天线的小型化，从而实现阵列天线的超紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN105633541A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610135658.2
申请日：2016-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种开放式套筒天线，天线振子为柱状的金属杆；金属套筒为上下贯通的管状开放式套筒；金属套筒围绕在天线本体的外侧，且金属套筒的中轴线与天线振子的中轴线重合；天线振子的外侧壁与金属套筒的内侧壁之间填充有绝缘介质，该绝缘介质将天线振子和金属套筒固定在一起，形成套筒天线结构；套筒天线结构和SMA接头嵌设在金属接地盒上。本发明利用开放式套筒，适应了手持天线地板的一般尺寸，消除了一部分使用非开放式套筒时对天线低频部分驻波比的影响，并通过在馈电端口加载集总参数电感，抵消电小天线容性电抗、阶梯状天线振子又相当于顶部加载用于整体的阻抗匹配，达到小型化，带宽宽等特性。
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