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公开(公告)号：CN102044543A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010557246.0
申请日：2010-11-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件将IGBT模块封装所需的全部IGBT和FRD芯片集成在一片晶圆上，且IGBT和FRD反并联设置；晶圆的边缘部分为多级场限环区，中间部分为IGBT区和FRD区；IGBT和FRD位于同一N型衬底内，具有多级场限环的终端结构；IGBT由在衬底上依次注入发射极P阱、发射极欧姆接触P+区、横向MOSFEF N+源极区、背部集电极P+区构成；FRD由在硅衬底上注入阳极P阱和阴极N+构成；多级场限环的终端结构由在衬底上注入多个P阱和一个N阱而成。本发明半导体器件不需要切片就能直接进行压接式封装成IGBT模块，并且该压接式封装与传统的功率半导体压接式封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN101740361A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910265540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号：CN101217108B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810000173.8
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种芯片台面腐蚀装置，主要包括隔片和芯片架；所述隔片为圆形片状；所述芯片架包括档板、锁紧装置、旋转装置以及固定架；所述挡板位于芯片架的两侧，在挡板外侧连接有锁紧装置，所述锁紧装置可以向内侧挤压挡板，使挡板将装在挡板之间的隔片和芯片夹紧，所述旋转装置套接在锁紧装置外侧，锁紧装置嵌套在所述固定架的侧面内，与侧面连接，锁紧装置和旋转装置从固定架侧面的两边伸出。本发明免除了芯片保护涂层的涂布和去除解决了传统方法的工艺程序复杂，时间长的问题。并且本发明操作简单一次可装载数十片同时进行腐蚀，大大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN101275284A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810000171.9
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C30B31/06 , H01L21/223
Abstract: 本发明公开了一种铝杂质源转移扩散方法。该方法提供真空扩散炉和一个带有塞子的半封闭扩散管，先以高纯铝源对硅陪片和扩散管内壁进行饱和扩散掺杂，然后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁对试验芯片进行t1时间的扩散掺杂，测量试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算出正式芯片扩散所需时间t2，最后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁按照t2时间对正式芯片进行精确控制的扩散掺杂。因此可以降低生产成本、消除使用氢气的安全隐患，提供均匀、稳定和可控的芯片表面掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN105304697B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510760751.8
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制作方法，包括至少一个元胞，其中，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置辅助沟槽，将第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距分为两部分。而相较于第一常规沟槽和第二常规沟槽之间较大的间距，本发明中第一常规沟槽与辅助沟槽之间的间距和第二常规沟槽与辅助沟槽之间的间距，与槽栅型IGBT芯片其他相邻沟槽之间的间距的差距小，进而改善了IGBT芯片关断时载流子的抽取的均匀度，改善了IGBT芯片关断特性的软度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374859B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510766095.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法，位于所述述基区背离所述漂移区一侧、且沿第二方向间隔设置的多个第一辅助沟槽和多个第二辅助沟槽，所述第一辅助沟槽和第二辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一辅助沟槽与所述第一常规沟槽相连通，所述第二辅助沟槽与所述第二常规沟槽相连通。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置第一辅助沟槽和第二辅助沟槽，且第一辅助沟槽与第一常规沟槽相连通，第二辅助沟槽与第二常规沟槽相连通，以间接缩短第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距，提高了沟槽栅型IGBT芯片的关断速度，提高了沟槽栅型IGBT芯片的性能。
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公开(公告)号：CN104992969B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510410797.7
申请日：2015-07-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用在半导体器件背面利用低温PECVD工艺直接成膜的薄膜结构。P+集区和N型缓冲层进一步采用低温PECVD工艺的沉积薄膜结构。薄膜进一步采用非晶硅、微晶硅、掺碳非晶硅或硅锗中的任意一种或几种。本发明具有缓冲层的半导体器件及其制作方法能够在不采用离子注入设备及退火工艺的基础上，有效降低半导体器件成本和硅片背面工艺的热预算，并可根据薄膜材料类型的不同调节硅片背面的载流子注入和抽取速率。
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公开(公告)号：CN104505339B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410848051.X
申请日：2014-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/331 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻。本发明的有益效果是，通过在IGBT深沟槽内预填充一种有机材料可以实现深沟槽底部充分、规则的刻蚀。
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公开(公告)号：CN104465549B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本申请公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
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公开(公告)号：CN102969350B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210520924.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片，包括至少一个元胞，元胞包括：依次排列的集电极金属电极、P+集电极区、N-漂移区、P-基区、P+欧姆接触区、N+源极区、栅氧化层、多晶硅栅和栅极金属电极，以及设置在P+欧姆接触区上方的发射极金属电极。沟槽栅型IGBT芯片还包括第一N型载流子埋层和/或第二N型载流子埋层。沟槽栅型IGBT芯片的多晶硅栅采用沟槽栅结构。第一N型载流子埋层位于P-基区的下方。第二N型载流子埋层位于沟槽形的多晶硅栅底部的栅氧化层的下方。本发明优化并降低了IGBT芯片的导通压降与关断损耗的折中关系，实现了更低的功耗，从而提高IGBT芯片的功率密度，工作结温，以及长期可靠性。
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