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公开(公告)号：CN101145528A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035982.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶方法及模具，所述的灌胶处理方法是通过一套模芯与模座一体金属与塑料复合结构的模具对半导体元件芯片的台面进行灌胶处理。具体说，所述的灌胶处理是将芯片置于由金属与塑料复合结构构成的上模和下模之间，用螺栓加力使缝隙紧密贴合，从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出。其中，所述的芯片是待加工的部分，芯片需安装在上模和下模之间，并用螺栓加力使上模和下模之间的缝隙紧密贴合，再从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出；所述的上模和下模是用于形成模腔，是完成特定形状与尺寸的灌胶操作的工装模具，上模和下模是将模芯与模座和为一体，且模芯是由金属与塑料复合结构构成的。
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公开(公告)号：CN101136378A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710035711.2
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件及其封装气密性检测方法及配气装置，包括管壳和管芯，管芯密闭在管壳内，管壳内充有一定压力的气体。管壳内充入的气体是由惰性气体与可检测气体混合的混合气体。半导体器件封装气密性的检测采用混合气体的检测方式。所提供的配气装置包括气体混合容器、惰性气体输入系统、可检测气体输入系统、混合气体输出系统和抽真空系统几部分，其中在混合容器上分别开有惰性气体入口与可检测气体的入口。惰性气体入口与可检测气体的入口可以是分别不同的两个入口，也可以共用一个入口。惰性气体入口与惰性气体输入系统相接；可检测气体的入口与可检测气体输入系统相接。
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公开(公告)号：CN101132001A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710163586.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n－型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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公开(公告)号：CN101132000A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710163585.9
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n－型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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公开(公告)号：CN1869284A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610031477.1
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C23F1/00 , C23F1/24 , H01L21/302
Abstract: 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。具体制作方法是：采用旋转腐蚀法在硅片表面形成梳条的操作。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。在硅片加工过程中还设有水保护部分，分成底喷水保护和顶喷水保护。顶喷水设置成当喷酸刚停止时启动。底喷水设置成与当硅片旋转时同步供给，与顶喷水同时停止。每个工位一次加工一个硅片，一个工作周期中酸、水交替起作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355552B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510737934.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。
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公开(公告)号：CN103346130B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
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公开(公告)号：CN104701386A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510072875.7
申请日：2015-02-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P+型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承受反向关断di/dt的能力，能承受500A/μs以上的反向关断di/dt；采用质子辐照和电子辐照的配合工艺方法，使FRD的反向恢复时间trr在7μs以下时，反向恢复特性中的软度因子S≥1.0。本发明方法工艺新颖，流程简单，使用独特的工艺技术使之能承受较高的反向关断di/dt，同时反向恢复时，软特性良好，实际应用证明与IGCT器件配套使用的可靠性高，使FRD产品的产量和成品率都得到了保证。
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公开(公告)号：CN1873918B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610031478.6
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/332
Abstract: 一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管(GT0)制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界(标20um处)的PN结电压设计值VGK精确到20～21V，据此可计算交界处的杂质浓度的V/I值应控制在10～11，其均匀度为±5％。p型杂质采用硼、铝双杂质分布，铝决定了总的结深，硼决定了硅片表面及次表面处的浓度及均匀度。靠外面为高浓度N型磷杂质，采用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。
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公开(公告)号：CN101123225B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710035712.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起。并与半导体元件台面成为相互导体。
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