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公开(公告)号：CN103745942B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310749790.9
申请日：2013-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，装置包括测量模块，对功率半导体模块基板的表面进行取点操作，在其表面测取三个以上的测量点，并将其空间位置数据传送至处理模块；处理模块，根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到基准面空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板表面与基准面空间位置数据的差值数据至显示模块，输出平面度数据，计算基板的最高点位置数据，并判断数据是否合格；显示模块，接收处理模块传送的差值数据并生成图形，判断图形是否合格，结合处理模块的数据判断结果输出最终结果。本发明能满足对功率半导体模块基板轮廓进行判断的需求，快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
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公开(公告)号：CN103390642B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310331846.9
申请日：2013-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法，所述IGBT器件包括：整晶圆IGBT芯片，其上表面包括：中心栅极连接区以及包围所述中心栅极连接区的多个发射极连接区，其下表面包括：集电区，其中，位于所述芯片失效元胞区表面的发射极连接区经过减薄处理；固定在所述芯片下表面的集电极垫片以及固定在所述芯片上表面的发射极垫片；与所述集电极垫片电接触的集电极电极以及与所述发射极垫片电接触的发射极电极；与所述中心栅极连接区连接的栅极引出线，所述栅极引出线与所述发射极垫片以及发射极电极绝缘。所述IGBT器件避免了整晶圆芯片中失效元胞区对IGBT器件性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN104949814A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113149.0
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01M7/08
Abstract: 本发明公开了一种用于功率半导体模块机械冲击试验的工装及试验方法，该工装包括方形的底板和四块侧板，所述四块侧板与底板垂直并分别位于底板的一条侧边上，所述底板上设有用来固定试验样品的样品安装孔，所述四块侧板中两两平行形成一组，其中一组的侧板上设有用来在试验台安装台面X轴方向安装的第一固定安装孔，另外一组的侧板上设有用来在试验台安装台面Y轴方向安装的第二固定安装孔，所述底板上设有用来在试验台安装台面Z轴方向安装的第三固定安装孔。该方法是基于上述工装的试验方法。本发明具有结构原理简单、操作更加简便、试验数据更加精确可靠、能够有效防止试验样品损坏等优点。
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公开(公告)号：CN103579143A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310536700.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、散热效果好、散热速度快、安全可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN103579071A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310537229.4
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L2221/68372
Abstract: 本发明公开了一种用来取放IGBT衬板的装置，包括左夹臂和右夹臂，所述左夹臂和右夹臂的中部铰接在一起，所述左夹臂和右夹臂的底部呈相对状并形成衬板夹持部，所述衬板夹持部与IGBT衬板的边缘处形成配合。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作方便、通用性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103390642A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310331846.9
申请日：2013-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法，所述IGBT器件包括：整晶圆IGBT芯片，其上表面包括：中心栅极连接区以及包围所述中心栅极连接区的多个发射极连接区，其下表面包括：集电区，其中，位于所述芯片失效元胞区表面的发射极连接区经过减薄处理；固定在所述芯片下表面的集电极垫片以及固定在所述芯片上表面的发射极垫片；与所述集电极垫片电接触的集电极电极以及与所述发射极垫片电接触的发射极电极；与所述中心栅极连接区连接的栅极引出线，所述栅极引出线与所述发射极垫片以及发射极电极绝缘。所述IGBT器件避免了整晶圆芯片中失效元胞区对IGBT器件性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN102148169B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110000505.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN106803488B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201510834949.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块焊接装置，包括用于将焊片定位安装于基板上的定位工装，所述定位工装包括安装本体及与焊片形状对应的焊片安装区，所述焊片安装区由安装本体围成，所述安装本体包括多组隔片，多组所述隔片沿基板的长度方向分段设置。本发明具有保证焊片有效定位、提高组装效率及焊接质量的优点。
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公开(公告)号：CN105428407B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201510786049.9
申请日：2015-11-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供了一种IGBT器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括漂移区，阱区、发射区，所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面，且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0～1μm；位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极，位于所述发射极两侧的栅区，所述栅区具有台阶部分和水平部分，所述台阶部分和所述水平部分为一体结构，所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区，所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面。该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响，同时，缩短了关断电流在阱区的路径，减少了损耗，且最大程度的避免了闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104409484B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410534231.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/04 , H01L21/68 , H01L23/48 , H01L23/32
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在钼板的表面上的由钼材料制成的定位凸起，在部分的定位孔内的钼块内设有用于把相应的芯片与电路板相接通的电连组件。根据本发明的压接式绝缘栅双极型晶体管能够采用贴片机顺利进行组装，避免了停机修整，从而提高了企业的生产效率。
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