公开(公告)号：CN109423691B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201810954980.7

申请日：2018-08-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。

公开(公告)号：CN109423690B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201810948079.9

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/04 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。

公开(公告)号：CN114514615A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080064681.1

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN112424949A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046761.1

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含镓(例如，氧化镓等)，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。

公开(公告)号：CN111357119A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074220.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性。一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α-Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。

公开(公告)号：CN111357116A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074216.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。

公开(公告)号：CN111356793A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074297.2

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋 ,  松田时宜 ,  四户孝

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种能够有用于工业且半导体特性优良的p型氧化物半导体膜；以及其形成方法。使用金属氧化物(例如氧化铱)的气体作为原料，以在具有金刚石结构的基体(例如蓝宝石基板等)上进行结晶成长，直至膜厚为50nm以上。由此，形成具有金刚石结构的p型氧化物半导体膜，其膜厚为50nm以上且其表面粗糙度为10nm以下。