公开(公告)号：CN104885229B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚‑第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN106575629A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580035431.4

申请日：2015-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  林和志 ,  钉宫敏洋 ,  越智元隆

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/14 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

公开(公告)号：CN105264469A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032200.3

申请日：2014-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  越智元隆

IPC: G06F3/041 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: G06F3/047 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/043 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的触摸面板传感器用布线膜，由如下层叠结构构成：形成于透明导电膜之上的纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金(第一层)；形成于第一层之上，纯Al或在10原子％以下的范围内含有或从Ta、Nd和Ti所构成的组中选择的至少一种元素的Al合金(第二层)。

公开(公告)号：CN104904017A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、以及保护所述源-漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚-氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN102165847A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137648.0

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史 ,  岸智弥 ,  川上信之

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种用于有机EL显示器的反射阳极电极，其具备的Al合金反射膜能够实现与氧化物导电膜的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有0.1～2原子％Ni或Co的Al合金膜，在真空或惰性气体气氛下，以150℃以上的温度对所述Al合金膜实施热处理，接着，以与所述Al合金膜直接接触的方式形成氧化物导电膜。

公开(公告)号：CN101918888A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980102063.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  南部旭 ,  中井淳一 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  三木绫

IPC: G02F1/1343 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C22C21/10 ,  C23C14/3414 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12049

Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

公开(公告)号：CN118901142A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380028723.X

申请日：2023-03-23

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社神钢科研

Inventor： 越智元隆 ,  寺前裕美 ,  西山功兵 ,  宫田浩一

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明其目的在于，提供一种氧化物半导体膜，能够同时提高薄膜晶体管的载流子迁移率和对于环境温度的稳定性。本发明的一个方式的氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，作为金属元素，含有In和Zn、与作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的上述In、上述Zn和上述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。

公开(公告)号：CN113529018A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110343743.9

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 仓千晴 ,  越智元隆

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/532 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一个方式的Al合金蒸镀膜含有Al、及1.5atm％～6.0atm％的Zr或Zn，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。本发明涉及一种包括所述Al合金蒸镀膜的显示器用配线膜、显示器装置、及Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材。

公开(公告)号：CN108886060A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021338.7

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层，由以特定的原子数比含有In、Ga、Zn、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为15cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN108779552A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017275.8

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  越智元隆 ,  川上亚由子

IPC: C23C14/08 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

CPC classification number: C23C14/08 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

Abstract: 一种抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，其含有In、Zn、Sn和O。