公开(公告)号：CN102856382B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210226273.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅半导体器件。在碳化硅半导体器件中，多个沟槽（7）具有一个方向上的纵向方向并且以条纹图案布置。每个所述沟槽（7）均具有在所述纵向方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁。所述第一侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面中的一个平面成第一锐角，所述第二侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面的所述一个平面成第二锐角，并且所述第一锐角小于所述第二锐角。第一导电类型区（5）仅与每个所述沟槽（7）的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁接触，并且电流通路仅形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁上。

公开(公告)号：CN102341898A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157760.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  上杉勉 ,  树神雅人 ,  石井荣子

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的纵型的氮化物半导体装置以及该氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置(100)为纵型的HEMT，其具有：n-型的GaN的第一氮化物半导体层(2)；p+型的GaN的第二氮化物半导体层(6a、6b)；n-型的GaN的第三氮化物半导体层(9)；与第三氮化物半导体层(9)的表面异质接合的、n-型的AlGaN的第四氮化物半导体层(8)。在从第三氮化物半导体层(9)的边缘隔开的位置处设置有开口(11a、11b)，所述开口(11a、11b)贯穿第三氮化物半导体层(9)并到达第二氮化物半导体层(6a、6b)的表面。开口(11a、11b)内设置有源极电极(12a、12b)。与源极电极(21a、12b)相接的蚀刻损伤(7b)被未形成蚀刻损伤的区域包围。

公开(公告)号：CN100530687C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580024191.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  中野由崇 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有p-GaN层(32)、SI-GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p-GaN层(32)和SI-GaN层(62)更宽的带隙。而且，SI-GaN层(62)的杂质浓度小于1×1017cm-3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III-V族半导体的半导体器件。

公开(公告)号：CN101057336A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580039042.5

申请日：2005-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅 ,  加地徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/8122

Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。

公开(公告)号：CN109427906B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201810952249.0

申请日：2018-08-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  浦上泰 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板、上表面电极、下表面电极及经由栅极绝缘膜而设于沟槽内的栅电极。半导体基板具有与上表面电极接触的P型体层、介于体层与下表面电极之间的n型漂移层、沿着沟槽的底面设置的p型浮置区及沿着沟槽的侧面在体层与浮置区之间延伸的p型连接区。沟槽沿着俯视时的长边方向具有未设置连接区的第一区间及设置有连接区的第二区间。而且，第二区间中的沟槽的侧面的倾倒角度比第一区间中的沟槽的侧面的倾倒角度大。

公开(公告)号：CN108172632A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711159622.9

申请日：2017-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 户川勤博 ,  副岛成雅 ,  水野祥司

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种抑制肖特基电极的势垒高度的偏差的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。通过注入含氧的带电粒子，能够准确地控制肖特基界面的氧量。由此，能够准确地控制势垒高度。

公开(公告)号：CN108133881A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711159927.X

申请日：2017-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 熊泽辉显 ,  副岛成雅 ,  竹内有一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够更准确地控制肖特基电极的势垒高度。该半导体装置的制造方法具有安设工序、处理工序、取出工序及肖特基接触工序。在安设工序中，在具有负载锁定室和成膜室的电极形成装置的负载锁定室内安设多个辅助半导体晶片和以SiC为主材料的多个主半导体晶片。在处理工序中，在对负载锁定室和成膜室进行了减压的状态下，反复进行将多个主半导体晶片中的一部分从负载锁定室输送到成膜室并在输送到成膜室内的主半导体晶片的表面上形成表面电极的处理。在取出工序中，从电极形成装置取出多个辅助半导体晶片和形成有表面电极的多个主半导体晶片。在肖特基接触工序中，使表面电极与主半导体晶片进行肖特基接触。

公开(公告)号：CN107431093A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017258.X

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)；漂移层(2)，其由与所述漏极区相比杂质浓度较低的第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由被设为高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其被配置在沟槽(7)的入口侧且具有被配置到与所述基极区相比而较深处为止的第一栅绝缘膜(8a)、与第一栅电极(9a)，并包含底部绝缘膜(8b)；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区电连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述沟槽被配置到与所述基极区相比而较深处为止。此外，所述第一栅绝缘膜由与所述底部绝缘膜相比介电常数较高的绝缘材料构成。

公开(公告)号：CN104885194A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380040446.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 藤原广和 ,  副岛成雅

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32133

Abstract: 半导体装置的制造方法包括：通过将金属作为技术电极材料沉积在SiC半导体基板（4）的表面上的绝缘层的开口内侧，形成电极金属层；在形成电极金属层之后，通过蚀刻绝缘层，使形成在绝缘层中的开口的内壁表面与电极金属层之间的间隙加宽；并且在蚀刻了绝缘层之后，通过加热SiC半导体基板和所述电极金属层，使所述电极金属层与所述SiC半导体基板之间形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN100568530C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680003142.7

申请日：2006-01-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 半导体器件(10)包括在p-型氮化镓(GaN)制成的下半导体层(26)和n-型氮化铝镓(AlGaN)制成的上半导体层(28)之间的异质结，其中所述上半导体层(28)具有的带隙比所述下半导体层(26)的带隙大。所述半导体器件(10)进一步包括在所述上半导体层(28)的顶面的部分上形成的漏极(32)，在所述上半导体层(28)的顶面的不同部分上形成的源极(34)，和与所述下半导体层(26)电连接的栅极(36)。所述半导体器件(10)可工作为常闭。