公开(公告)号：CN111640691A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010136390.0

申请日：2020-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉崎太亮 ,  石井荣子 ,  中嵨健次 ,  明渡邦夫 ,  野田浩司

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够提高对半导体晶圆的表面蚀刻的均匀性的技术。本发明提供的蚀刻装置具有贮存蚀刻液的贮存槽、支撑件、光源、对置电极以及电源。支撑件在半导体晶圆的第一表面浸渍于蚀刻液的状态下可旋转地支撑半导体晶圆。光源向支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面照射光。对置电极配置在贮存槽内，位于支撑件与光源之间，并且位于与支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面分离的位置。电源向支撑件支撑的半导体晶圆与对置电极之间施加电压。在光源照射光时，光的照射范围和对置电极的影子投影于支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面。在支撑件使半导体晶圆旋转时，第一表面的至少一部分经过照射范围和影子这两处。

公开(公告)号：CN102341898A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157760.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  上杉勉 ,  树神雅人 ,  石井荣子

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的纵型的氮化物半导体装置以及该氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置(100)为纵型的HEMT，其具有：n-型的GaN的第一氮化物半导体层(2)；p+型的GaN的第二氮化物半导体层(6a、6b)；n-型的GaN的第三氮化物半导体层(9)；与第三氮化物半导体层(9)的表面异质接合的、n-型的AlGaN的第四氮化物半导体层(8)。在从第三氮化物半导体层(9)的边缘隔开的位置处设置有开口(11a、11b)，所述开口(11a、11b)贯穿第三氮化物半导体层(9)并到达第二氮化物半导体层(6a、6b)的表面。开口(11a、11b)内设置有源极电极(12a、12b)。与源极电极(21a、12b)相接的蚀刻损伤(7b)被未形成蚀刻损伤的区域包围。