公开(公告)号：CN101202304A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198750.4

申请日：2007-12-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 树神雅人 ,  林荣子 ,  上杉勉 ,  杉本雅裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种将MIS结构内置的HEMT。该HEMT(10)具有：与漏电极形成电连接的漏极区域(32)、与源电极形成电连接的源极区域(34)、形成在漏极区域(32)和源极区域(34)之间的第一半导体区域(22)、MIS结构(40)和异质结构。MIS结构具有隔着栅极绝缘膜(42)与第一半导体区域(22)表面的一部分相对的栅电极(44)。异质结构具有第二半导体区域(24)，该第二半导体区域(24)与第一半导体区域(22)的表面的其余部分相邻接，并且具有比第一半导体区域(22)的带隙更宽的带隙。漏极区域(32)和源极区域(34)通过MIS结构(40)和异质结构的组合结构而形成电连接。

公开(公告)号：CN102341898A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157760.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  上杉勉 ,  树神雅人 ,  石井荣子

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的纵型的氮化物半导体装置以及该氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置(100)为纵型的HEMT，其具有：n-型的GaN的第一氮化物半导体层(2)；p+型的GaN的第二氮化物半导体层(6a、6b)；n-型的GaN的第三氮化物半导体层(9)；与第三氮化物半导体层(9)的表面异质接合的、n-型的AlGaN的第四氮化物半导体层(8)。在从第三氮化物半导体层(9)的边缘隔开的位置处设置有开口(11a、11b)，所述开口(11a、11b)贯穿第三氮化物半导体层(9)并到达第二氮化物半导体层(6a、6b)的表面。开口(11a、11b)内设置有源极电极(12a、12b)。与源极电极(21a、12b)相接的蚀刻损伤(7b)被未形成蚀刻损伤的区域包围。