公开(公告)号：CN111640691A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010136390.0

申请日：2020-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉崎太亮 ,  石井荣子 ,  中嵨健次 ,  明渡邦夫 ,  野田浩司

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够提高对半导体晶圆的表面蚀刻的均匀性的技术。本发明提供的蚀刻装置具有贮存蚀刻液的贮存槽、支撑件、光源、对置电极以及电源。支撑件在半导体晶圆的第一表面浸渍于蚀刻液的状态下可旋转地支撑半导体晶圆。光源向支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面照射光。对置电极配置在贮存槽内，位于支撑件与光源之间，并且位于与支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面分离的位置。电源向支撑件支撑的半导体晶圆与对置电极之间施加电压。在光源照射光时，光的照射范围和对置电极的影子投影于支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面。在支撑件使半导体晶圆旋转时，第一表面的至少一部分经过照射范围和影子这两处。

公开(公告)号：CN105280535A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510330096.2

申请日：2015-06-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉崎太亮

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67715 ,  B65G43/08 ,  B65G47/52 ,  B65G2811/0678 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67736

Abstract: 根据本发明的用于半导体装置的生产线(1)为通过使工件(25)沿着设置有多个处理装置(20a-20m)的传输路线(10)循环来制造半导体装置的生产线。传输路线(10)包括第一路线(11)和第二路线(12)，在第一路线(11)上设置处理次数多的处理装置，在第二路线(12)上设置处理次数少的处理装置。此外，传输路线(10)在使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)以连续的方式至第一路线(11)的传输与使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)至第二路线(12)的传输之间进行转换。

公开(公告)号：CN105280535B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510330096.2

申请日：2015-06-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉崎太亮

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67715 ,  B65G43/08 ,  B65G47/52 ,  B65G2811/0678 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67736

Abstract: 根据本发明的用于半导体装置的生产线(1)为通过使工件(25)沿着设置有多个处理装置(20a‑20m)的传输路线(10)循环来制造半导体装置的生产线。传输路线(10)包括第一路线(11)和第二路线(12)，在第一路线(11)上设置处理次数多的处理装置，在第二路线(12)上设置处理次数少的处理装置。此外，传输路线(10)在使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)以连续的方式至第一路线(11)的传输与使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)至第二路线(12)的传输之间进行转换。