公开(公告)号：CN116741686A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310202682.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤冈仁志 ,  小柴健 ,  户川勤博 ,  荒内琢士

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L21/02

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其包括制备碳化硅基板(12)、生长外延层(50)和形成结构(20b、80)。所述碳化硅基板具有其上布置有凹陷形状的对准标记(20、20a)的上表面(12a)，并且垂直于上表面的垂直线(12s)相对于[0001]方向朝向[11‑20]方向倾斜。外延层在所述上表面生长并覆盖对准标记。该结构沿着所述上表面在[11‑20]方向上距离所述对准标记为间隔P的位置处形成在所述上表面上或上方。间隔P满足关系D/tanθ

公开(公告)号：CN108172632A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711159622.9

申请日：2017-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 户川勤博 ,  副岛成雅 ,  水野祥司

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种抑制肖特基电极的势垒高度的偏差的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。通过注入含氧的带电粒子，能够准确地控制肖特基界面的氧量。由此，能够准确地控制势垒高度。