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公开(公告)号：CN101471027B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810185248.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/296 , G09G3/294 , G09G2320/0233 , G09G2330/021 , G09G2330/028
Abstract: 本发明提供等离子显示器装置和其驱动方法及驱动IC，实现在目前的具有单侧驱动的吸持电路的AC型PDP装置中不能实现的、吸持期间的电源Va的稳定化、进而抑制复位期间的Y电极和A电极之间的放电，正常地实现Y电极和X电极之间的正的钝波复位，并有效利用流入寻址电源的电力。在维持AC型PDP的发光的期间，设为将面板单侧的电极固定在一定的电位，且向面板的另一侧电极交替施加正负的电压来进行驱动的方式，具有将流入寻址电源的电力变换成其他电源的装置。能够提供没有亮度不均、低消耗电力且亮度寿命长的AC型PDP。
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公开(公告)号：CN1450640A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03109521.6
申请日：2003-04-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在包括半导体元件，覆盖半导体的电绝缘盖，以及分别电连接到半导体元件的至少第一和第二导电端子的半导体装置中，第一导电端子具有第一端子凸起从盖的第一表面突出并且包括第一终止端和第一根源端，第二导电端子具有第二端子凸起从盖的第二表面突出并且包括第二终止端和第二根源端，在沿着平行于突出方向的虚平面而获得的断面图中，盖具有盖凸起和盖凹槽中至少一个，盖凸起突出到高于第一和第二终止端高度的高度，盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面凹陷。
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公开(公告)号：CN1274192A
公开(公告)日：2000-11-22
申请号：CN00108684.7
申请日：2000-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/53871 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014
Abstract: 为了高度精确地检测电力转换系统中的电流,将电感器串联到开关元件的主端子,并使用积分电路对切换时电感器的两端产生的电压积分,来检测电流。
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公开(公告)号：CN102034817B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010254534.9
申请日：2010-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 森睦宏
IPC: H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L29/7391 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。
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公开(公告)号：CN102136490B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010580092.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H02M7/48
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/2815 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置以及使用它的电力变换装置，能够保持低损失和高耐压，同时能够提高接通期间中的dv/dt的基于栅极驱动电路的控制性。为解决上述课题，在宽度宽的沟槽(423)的侧壁上设置栅极(401)，由此，因为栅极(401)被栅极绝缘膜(402)和成为层间膜的厚的绝缘膜(403)覆盖，所以栅极的寄生电容小，而且没有浮动p层，因此栅极的电位不变动，能够提高dv/dt的控制性，能够同时兼顾低损失和低噪声。
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公开(公告)号：CN101110555B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200710137063.1
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L3/12 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L11/18 , B60L15/007 , B60L2210/40 , B60L2240/525 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K7/20927 , Y02T10/6217 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：具有直流端子的电容器模块；将直流电流变换为交流电流的逆变器；和用于冷却逆变器的散热片，逆变器具有具备多个功率半导体元件的功率模块，功率模块具备金属基底、设置于金属基底的一个面的绝缘基板；固定于绝缘基板的功率半导体元件和直流端子，在金属基底的另一个面设置有散热片，功率模块的直流端子和电容器模块的直流端子分别构成为隔着绝缘物层叠平板导体，并且构成为使正负的直流端子的前端部在彼此相反方向上弯曲，将该弯曲的面作为功率模块和电容器模块的连接面，在该连接面中使各个绝缘彼此重叠。
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公开(公告)号：CN101308872B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810099156.4
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。
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公开(公告)号：CN101308872A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099156.4
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。
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公开(公告)号：CN100349301C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN00137611.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中，半导体芯片的衬底主面在(110)面上，n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面，长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列，形成电压保持区，所说的第一端101通过导线连接到所说的p型区，所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且，形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。
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