公开(公告)号：CN118382884A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280082351.4

申请日：2022-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  中村太纪 ,  泽井宽美 ,  方堂凉太

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H10K50/00 ,  H05B33/26 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。在该显示装置中，伪像素部是无助于显示的区域，伪像素部在从平面看时以与像素部的外侧相邻的方式配置，像素部包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第一像素电极及第二像素电极、第一像素电极上的第一层、第二像素电极上的第二层以及第一层及第二层上的公共电极，伪像素部包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第一导电层及第二导电层、第一导电层上的第三层、第二导电层上的第四层以及第三层及第四层上的公共电极，第一绝缘层包括第一槽及第二槽，第一槽具有与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域，第二槽具有与第一导电层重叠的第三区域及与第二导电层重叠的第四区域。

公开(公告)号：CN118339661A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079448.X

申请日：2022-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  国武宽司 ,  方堂凉太 ,  大贯达也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一氧化物的第一晶体管；包括第二氧化物的第二晶体管；以及第三氧化物。第一氧化物包括第一晶体管的沟道形成区域。第二氧化物包括第二晶体管的沟道形成区域。第三氧化物包含与第一氧化物及第二氧化物相同的材料。第三氧化物与第一氧化物和第二氧化物分离。在俯视时，第三氧化物位于第一氧化物与第二氧化物之间。第三氧化物配置在与第一氧化物及第二氧化物相同的层中。

公开(公告)号：CN118160411A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280066828.X

申请日：2022-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  柳泽悠一

IPC: H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。提供一种包括第一发光器件、第二发光器件及绝缘层的显示装置。第一发光器件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。绝缘层具有开口，并包括与第一像素电极的侧面接触的第一面、与第一面相对的第二面、与第一EL层的底面接触的第三面。该显示装置具有第三面及第一像素电极的顶面的高度彼此一致或大致一致的区域。在从截面看时，第二面与第三面所形成的角度为80度以上且110度以下。第一EL层包含与第二EL层相同的材料。第一EL层与第二EL层分离。

公开(公告)号：CN118020387A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280063560.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大泽信晴 ,  佐佐木俊毅 ,  笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博

IPC: H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H10K50/00 ,  H10K50/15 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、公共电极及第一中间层，第一中间层包含第一无机化合物及第一有机化合物，第一有机化合物具有非共用电子对，第一有机化合物与第一无机化合物起到相互作用而形成单占据分子轨道。第二发光器件包括第二像素电极、公共电极及第二中间层，第二中间层包含第一无机化合物及第一有机化合物。第一绝缘层覆盖第一中间层的顶面的一部分及侧面以及第二中间层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一中间层的顶面的一部分及侧面以及第二中间层的顶面的一部分及侧面重叠。

公开(公告)号：CN117480881A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280040366.4

申请日：2022-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  柳泽悠一 ,  大泽信晴 ,  山崎舜平

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/35 ,  H10K59/80 ,  H10K50/805 ,  H10K71/60 ,  H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件以及与第一发光元件相邻的第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第一像素电极的端部及第二像素电极的端部具有锥形形状。第一EL层覆盖第一像素电极的端部，第二EL层覆盖第二像素电极的端部。第一EL层具有厚度为150nm以下的区域。

公开(公告)号：CN117355134A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311273190.X

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/20 ,  H10B41/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本公开涉及电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN114616681A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080075473.1

申请日：2020-10-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  长塚修平 ,  川田琢也 ,  方堂凉太

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/108 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的晶体管、晶体管上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及开口区域，开口区域包括第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第四绝缘体，第三绝缘体包括到达第二绝缘体的开口，第四绝缘体在开口内与第二绝缘体的顶面接触。

公开(公告)号：CN113795928A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080032665.4

申请日：2020-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村川努 ,  安藤善范 ,  掛端哲弥 ,  佐藤优一 ,  方堂凉太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物的侧面接触的第一层及第二层；第一绝缘体、第一层、第二层、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；配置在第一导电体与第二导电体之间且第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，其中，第一层及第二层各自包含第一导电体及第二导电体所含有的金属，并且，与第二绝缘体接触的区域中的第一绝缘体具有金属的浓度比第一层或第二层低的区域。

公开(公告)号：CN110998809A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050765.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN109478514A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043080.0

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山根靖正 ,  仓田求 ,  方堂凉太 ,  石山贵久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种稳定的电特性的半导体装置。或者，提供一种适合于微细化或高密度化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置，包括：第一阻挡层；第二阻挡层；第三阻挡层；具有氧化物的晶体管；绝缘体；以及导电体。绝缘体包括过剩氧区域。绝缘体及氧化物位于第一阻挡层与第二阻挡层之间。导电体隔着第三阻挡层位于第一阻挡层的开口、第二阻挡层的开口、绝缘体的开口中。