公开(公告)号：CN101567408B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910136910.1

申请日：2009-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤翔 ,  鸟海聪志 ,  井坂史人

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/1896 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 所公开的发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。

公开(公告)号：CN101425449B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200810169882.9

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  井坂史人 ,  永野庸治 ,  桃纯平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66772

Abstract: 制造隔着缓冲层而具有单晶半导体层的半导体衬底。对半导体衬底掺杂氢，形成包含大量氢的损伤层。在将单晶半导体衬底和支撑衬底接合在一起之后，加热半导体衬底，在损伤区域中分离单晶半导体衬底。通过从具有单晶半导体层的一侧对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的照射激光束的区域的从表面有深度方向的一部分区域熔化，基于不熔化而留下的单晶半导体层的平面取向进行再晶化，恢复结晶性，并且使单晶半导体层的表面平坦化。

公开(公告)号：CN101425455B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810173930.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN101118851B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  神保安弘 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下，优选为大于6×10-7/℃且31.8×10-7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为-500N/m以上且+50N/m以下，优选成为-150N/m以上且0N/m以下。

公开(公告)号：CN101425455A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173930.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN101118851A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  祝保安弘 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10－7/℃且38×10－7/℃以下，优选为大于6×10－7/℃且31.8×10－7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为－500N/m以上且+50N/m以下，优选成为－150N/m以上且0N/m以下。