公开(公告)号：CN103681414A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310401801.4

申请日：2013-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平林英明 ,  长岛祐次 ,  平川雅章

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01L21/02052

Abstract: 根据一个实施方案，处理装置包括电解单元、碱添加单元和处理单元。所述电解单元包括阳极电极和阴极电极。所述电解单元经配置以含有不含金属的碱、盐酸和水的电解溶液。所述碱添加单元经配置以进一步将所述不含金属的碱添加到已经过电解的溶液。所述处理单元经配置以使用已经过电解且其中进一步添加所述不含金属的碱的溶液执行对将处理物体的处理。

公开(公告)号：CN102692817A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210076341.8

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林正子 ,  平林英明 ,  河村嘉久 ,  比嘉百夏

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及模板、模板的表面处理方法、模板的表面处理装置和图案形成方法。具体地，涉及一种包括具有凹凸图案的转写面的模板。所述模板被构造成在树脂的表面中形成反映所述凹凸图案的结构。所述树脂通过将处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液充填入所述凹凸图案的凹部并使用光来固化所述光固化性树脂液而形成。所述模板包括基材和表面层。所述基材包括具有凹凸的主表面。所述表面层覆盖所述基材的凹凸并用于形成反映所述凹凸的结构的凹凸图案。所述表面层与处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液之间的接触角不大于30度。

公开(公告)号：CN1622290A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095653.9

申请日：2004-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平林英明 ,  樱井直明 ,  斋藤晶子 ,  佐藤浩史 ,  山田富穗

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24

Abstract: 本发明涉及用于化学机械研磨的研磨布，该研磨布具有由酸值为10～100mg KOH/g、羟值为50～150mgKOH/g的(甲基)丙烯酸共聚物构成的成形体。

公开(公告)号：CN112585503B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980054560.6

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  平林英明

IPC: G01T1/24 ,  H01L31/08

Abstract: 一种光子计数型放射线检测器，具备单元结构，该单元结构包含基板和设置于所述基板之上且供放射线入射的外延层，在将所述基板的厚度设为tsub、将所述外延层的厚度设为tepi、将所述基板的长度设为L、将所述基板相对于所述放射线的入射方向的倾斜度设为θ(°)时，将基板的倾斜度θ设为规定的范围。外延层优选为选自SiC、Ga2O3、GaAs、GaN、金刚石、CdTe中的一种。这样的光子计数型放射线检测器优选为直接变换型。

公开(公告)号：CN111727521B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201980013389.4

申请日：2019-04-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 重里有三 ,  贾军军 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也

IPC: H01M4/485 ,  G02F1/155 ,  H01G11/46 ,  H01M4/131

Abstract: 本发明提供一种电极层，其具备由以钨、钼及氧作为构成元素的复合氧化物形成的固溶体。另外，在将钨、钼及氧的合计设为100at％时，优选钨为1at％以上且40at％以下、钼为1at％以上且40at％以下、剩余部分为氧。复合氧化物优选为固溶体。另外，固溶体中，优选钨与氧的键合或钼与氧的键合具有钨‑氧‑钨、钼‑氧‑钼、钨‑氧‑钼这3种。

公开(公告)号：CN116982416A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280016626.4

申请日：2022-03-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 佐佐木亮人 ,  加藤宽正 ,  平林英明

IPC: H05K3/38

Abstract: 一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上介由钎料层而接合有铜板的陶瓷电路基板的制造方法，上述钎料层不含Ag，且含有Cu及Ti和选自Sn或In中的1种或2种，上述制造方法具备以下工序：准备在上述铜板的图案形状间上述钎料层的一部分变得裸露的陶瓷电路基板，将上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的化学研磨工序；用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH为6以下的蚀刻液，将经化学研磨的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的钎料蚀刻工序。

公开(公告)号：CN116745904A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202180086658.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 森本一光 ,  平林英明

IPC: H01L23/36

Abstract: 本发明的特征在于，在绝缘性基板的至少一个面上接合有导体部的绝缘性电路基板中，在对导体部表面的碳量进行XPS分析时，任意3处的平均值为0a％以上且70at％以下的范围内。此外，在对上述导体部表面的氧量进行XPS分析时，任意3处的平均值优选为3at％以上且50at％以下的范围内。

公开(公告)号：CN116686081A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180086659.1

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 森本一光 ,  平林英明

IPC: H01L23/36

Abstract: 实施方式提供改善了与接合层的接合的可靠性的陶瓷铜电路基板。实施方式的绝缘性电路基板的特征在于，其具备绝缘性基板、和与上述绝缘性基板的至少一个面接合的导体部，在对上述导体部的表面的氮量进行XPS分析时，任意3处的上述氮量的平均值为0at％以上且50at％以下的范围内。在对上述导体部表面的氧量进行XPS分析时，上述3处的上述氧量的平均值优选为3at％以上且30at％以下的范围内。上述氮量相对于上述氧量之比优选为0以上且5以下。

公开(公告)号：CN110024154B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780073814.X

申请日：2017-12-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 佐佐木敦也 ,  佐佐木亮人 ,  片冈好则 ,  平林英明 ,  斋藤秀一

IPC: H10N97/00

Abstract: 本发明提供一种半导体固体电池，其特征在于，在N型半导体与P型半导体之间设置有第一绝缘层。另外，第一绝缘层优选膜厚为3nm～30μm，并且相对介电常数为10以下。另外，第一绝缘层优选膜密度为主体的60％以上。另外，半导体层优选导入俘获电位。若是半导体固体电池，则能够消除电解液的漏液的产生。

公开(公告)号：CN110352533B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201880014936.6

申请日：2018-05-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 高木茂行 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  片冈好则 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也

IPC: H01M10/48 ,  H01M4/48 ,  H01M10/052 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明提供一种蓄电单元，其具有：蓄电部，其在负极层或正极层中使用氧化钨，氧化钨以单斜晶、斜方晶及立方晶中的任1种晶体结构作为主体晶体；和控制电路，其在蓄电部的充放电中，将蓄电部的每1个电池的负极与正极之间的电位差控制在能以初期状态维持成为主体晶体的氧化钨晶体结构的种类的电位差。此外，蓄电系统由所述蓄电单元和二次电池组合而成。