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公开(公告)号：CN100576504C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580025755.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在其中形成有多个半导体器件的半导体晶片的掩膜放置侧表面上放置掩膜，同时限定用于将所述半导体晶片分割成为各个分开的半导体器件的分割线，并且，在各个半导体器件中，缺陷半导体器件的表面被局部暴露，且然后通过对所述半导体晶片的掩膜放置侧表面实施等离子蚀刻，从而沿着所限定的分割线将所述半导体晶片分割成为各个半导体器件，并将缺陷半导体器件的暴露部去除，以便形成去除部作为缺陷半导体器件区分标记。
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公开(公告)号：CN100517646C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200680012437.0
申请日：2006-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2924/30105
Abstract: 通过在半导体晶片的第二表面上执行各向异性刻蚀作为等离子体刻蚀，所述半导体晶片的第一表面上在划分区中放置了绝缘膜，并且在所述第一表面上粘贴了保护片，以及在所述半导体晶片的第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，通过去除与划分区相对应的部分，将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来。随后，通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下执行各向异性刻蚀作为等离子体刻蚀，去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分。随后，通过去除掩模并且随后第二表面上执行各向同性刻蚀作为等离子体刻蚀来去除第二表面一侧上的角落部分。
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公开(公告)号：CN100429739C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN03817044.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 在对硅片(6)进行冷却的状态下对该硅片进行等离子体处理的等离子体处理设备中，由第一电极(3)借助于静电吸引保持粘接有保护膜(6a)的硅片(6)，第一电极(3)的顶表面(3g)由位于边界线(P2)内侧的顶表面中心区(A)和包围顶表面中心区(A)的环形顶表面周边区(B)构成，所述边界线从硅片(6)的外周边(P1)向内距离规定的长度，顶表面中心区中的导体被露出，环形顶表面周边区中的导体用绝缘涂层(3f)覆盖。这种结构通过使硅片(6)与导体直接接触而可以利用足够的静电保持力来保持硅片(6)，并且通过从硅片(6)向第一电极(3)传导热量可以提高冷却效率。
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公开(公告)号：CN101256932A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710164874.0
申请日：2007-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 在用于使原子氢与处理室(3)中的处理对象(5)(例如衬底)接触从而进行表面处理的原子氢处理设备中，原子氢发生器(11)和处理室能够通过用于引入的开口部分(2c)相互连通。原子氢发生器(11)具有通过使氢气与发生室(21a)加热器箱(12)中包括的钨加热器接触而产生原子氢的功能，用于引入的开口部分(2c)能通过闸板构件(7)自由地开启和关闭。由此，能够独立于处理室(3)的状态地使发生室保持在压力降低状态，因此消除了钨加热器升高温度和冷却钨加热器的等待时间。因此，能够提高原子氢处理的处理效率。
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公开(公告)号：CN101160653A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012437.0
申请日：2006-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2924/30105
Abstract: 通过在半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，所述半导体晶片的第一表面上在划分区中放置了半导体器件，以及在所述半导体晶片的第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，通过去除与划分区相对应的部分，将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来。随后，通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下执行等离子体刻蚀，去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分。随后，通过去除掩模并且随后第二表面上执行等离子体刻蚀来去除第二表面一侧上的角落部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101107703A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680003081.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 有田洁
IPC: H01L21/78 , H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01L21/308 , H01L21/67069 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2924/30105
Abstract: 对半导体晶片的第二表面上进行等离子体蚀刻，所述半导体晶片具有第一表面和第二表面，第一表面上的分割区域布置有绝缘膜，第二表面上布置有限定所述分割区域的掩模，第二表面与第一表面相对设置，通过去除与分割区域对应的部分从蚀刻的底部露出所述绝缘膜。此后，在因等离子体中的离子而用电荷对露出的绝缘膜表面充电的状态中连续地进行等离子体蚀刻，去除器件形成区域中与绝缘膜接触的角部。由此制造具有高抗破碎强度的、单个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1516890A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02811860.X
申请日：2002-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J2237/20 , H01L21/3065 , H01L21/6833
Abstract: 在一种用于对硅晶片(6)实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该硅晶片(6)具有粘附于电路形成面上的保护带(6a)，且该硅晶片(6)安装于一安装表面(3d)上，该安装表面设置于由导电金属形成的下电极(3)的上表面上，且保护带(6a)转向该安装表面(3d)。当一直流电压藉由供静电吸附用的直流电源部(18)施加于下电极(3)上以在等离子体处理中吸附且固定该硅晶片(6)于该下电极(3)上时，该保护带(6a)被用作供静电吸附用的介电材料。因而，该介电材料可尽量地薄，且该硅晶片(6)可被足够的静电保持力固定。
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公开(公告)号：CN102388438B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080015705.0
申请日：2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 公开一种用于处理基板的方法，通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时，由液体排斥膜(3)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到后表面(1b)的区域而形成，所述区域为蚀刻的对象。此后，首先低粘度树脂(4a)然后高粘度树脂(4b)供应到设置有液体排斥图案的后表面(1b)，从而在其中没有液体排斥膜(3)的区域形成树脂膜(4)，该树脂膜具有比液体排斥膜(3)更大的膜厚度。然后，树脂膜(4)被熟化，从而形成掩膜(4*)，该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果，用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。
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公开(公告)号：CN102293064B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080005409.2
申请日：2010-01-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46 , G05B19/418 , H01L21/304 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32935 , Y02P90/22
Abstract: 一种等离子体处理装置，能够获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据并能够确保可追溯性。该等离子体处理装置在处理腔(3a)中持有基板(9)以使其经历等离子体处理。该等离子体处理装置被提供有：放电检测传感器(23)，检测处理腔(3a)内部的异常放电；以及照相机(26)，通过窗口部分(2a)拍摄处理腔(3a)内部的图像并输出运动图像数据。当已检测到异常放电时，等离子体处理装置存储与一时间段对应的运动图像数据，该时间段包括检测到异常放电的时间，并且当未检测到异常放电时，等离子体处理装置存储示出正常放电状态的运动图像或静止图像的数据作为示出已执行等离子体处理的正常历史图像数据。因此，可以获得对确定等离子体处理中的异常放电的原因有用的数据并确保可追溯性。
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公开(公告)号：CN102388440A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080015701.2
申请日：2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83048 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194 , H01L2224/83855 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 公开一种用于处理基板的方法，通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时，由液体排斥膜(3，3e)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到半导体晶片(1)的后表面(1b)的外线区域而形成，所述外线区域沿着刻划线(1c)和外边缘形成为具有预定宽度。然后，液体树脂供应到后表面(1b)，从而在没有液体排斥膜(3)的区域中形成膜厚度大于液体排斥膜(3)的树脂膜(4)。然后，树脂膜(4)被熟化，从而形成掩膜(4*)，该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果，用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。
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