公开(公告)号：CN115298616A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021724.2

申请日：2021-03-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  泽田和宏 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/038 ,  C08G67/00 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种能给予初始介电损耗角正切低，且其经时变化也小的固化物的感光性绝缘膜树脂组合物、使用该感光性绝缘膜组合物制造带固化浮雕图案的基板的方法、及具备该固化浮雕图案的半导体装置。所述感光性绝缘膜形成用组合物包含具有下述式(1)表示的重复单位结构的聚合物，及溶剂。式(1)中，基团A1表示(A1)所示的芳族杂环，基团A2表示(A2)所示的芳族杂环，基团A1、基团A2可以具有交联性取代基，基团B1表示具有交联性取代基的有机基团，基团B2表示不具有交联性取代基的有机基团。

公开(公告)号：CN109073977B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201780025998.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 境田康志 ,  高濑显司 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)

公开(公告)号：CN113631765A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080012817.4

申请日：2020-01-16

Applicant: 富山县 ,  日产化学株式会社

Inventor： 横山义之 ,  岸冈高广

IPC: D01F1/10 ,  G03F7/023 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供将表面具有金属层的基材使用具有特定的组成的感光性纤维进行了加工的金属图案的制造方法、金属图案的制造方法、用于制造该感光性纤维的组合物，优选提供便宜且柔软的透明配线图案。解决手段是本发明的感光性纤维为包含正型感光性材料的感光性纤维。正型感光性材料可以包含酚醛清漆树脂等。本发明的金属图案的制造方法包含下述工序：在表面具有金属层的基材上形成由感光性纤维构成的纤维层的第1工序；将该纤维层经由掩模进行曝光的第2工序；将该纤维层通过显影液进行显影，形成感光性纤维图案的第3工序；以及将该金属层利用蚀刻液进行蚀刻，进一步将感光性纤维除去，从而形成网眼状金属图案的第4工序。

公开(公告)号：CN113316595A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202080009988.1

申请日：2020-01-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西田登喜雄 ,  远藤贵文 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广

IPC: C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/11

Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物、应用了该保护膜的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：包含至少1个缩醛结构和至少1个酰胺结构的化合物或聚合物、和溶剂。上述聚合物优选为分子内包含至少1个缩醛结构的化合物(a)、与分子内包含至少1个酰胺结构的化合物(b)的共聚物。

公开(公告)号：CN110869852A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880045116.3

申请日：2018-08-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  臼井友辉 ,  远藤雅久 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物和溶剂。(在上述式中，X表示碳原子数2～10的二价链状烃基，该二价链状烃基可以在主链具有至少1个硫原子或氧原子，此外可以具有至少1个羟基作为取代基，R表示碳原子数1～10的链状烃基，2个n分别表示0或1。)

公开(公告)号：CN109642140A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052451.1

申请日：2017-08-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥拓矢 ,  榎本智之 ,  岸冈高广

IPC: C09J167/00 ,  C08F290/06 ,  C08F299/02 ,  C08G75/045 ,  C09J11/06 ,  C09J167/07 ,  C09J171/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

CPC classification number: C09J179/04 ,  C08F290/06 ,  C08F290/061 ,  C08F290/064 ,  C08F299/02 ,  C08G59/26 ,  C08G59/3236 ,  C08G73/0622 ,  C08G73/0638 ,  C08G73/0644 ,  C08G73/0655 ,  C08G75/045 ,  C08G85/004 ,  C08K5/101 ,  C08K5/14 ,  C09J9/00 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J163/06 ,  C09J163/10 ,  C09J167/00 ,  C09J167/07 ,  C09J171/08 ,  C09J2205/31 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明的课题是提供新的感光性粘接剂组合物。解决手段是一种感光性粘接剂组合物，其包含下述(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分，且与上述(A)成分相比以质量比计更多地含有上述(B)成分。(A)成分：具有下述式(1)所示的结构单元、且末端具有下述式(2)所示的结构的聚合物，(B)成分：具有上述式(1)所示的结构单元、且末端具有上述羧基或羟基的聚合物，(C)成分：自由基型光聚合引发剂，和(D)成分：溶剂，(在这些式中，X表示碳原子数1～6的烷基、乙烯基、烯丙基或缩水甘油基，m和n各自独立地表示0或1，Q表示碳原子数1～16的二价烃基，Z表示碳原子数1～4的二价连接基，该二价连接基与上述式(1)中的-O-基结合，R1表示氢原子或甲基。)

公开(公告)号：CN109416512A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040019.0

申请日：2017-06-23

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  后藤裕一 ,  远藤雅久 ,  臼井友辉 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C07C43/13 ,  C07D251/34 ,  C07D403/14 ,  C08L65/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C43/13 ,  C07D251/34 ,  C07D403/14 ,  C08L65/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供包含具有乙内酰脲环的化合物的、新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含1分子中具有至少2个下述式(1)所示的取代基的化合物、和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X1表示碳原子数1～3的羟基烷基、或主链具有1个或2个醚键的碳原子数2～6的烷基。)

公开(公告)号：CN109073977A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780025998.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 境田康志 ,  高濑显司 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)

公开(公告)号：CN119731778A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059602.1

申请日：2023-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  洼寺俊 ,  上林哲

IPC: H01L21/768 ,  C08G59/24 ,  C08G59/26 ,  G03F7/11 ,  H01L23/12

Abstract: 一种填隙材料形成用组合物，其含有化合物和聚合物中的至少一者、以及溶剂，所述化合物和聚合物具有下述式(1)所示的结构以及羰基键。(在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、氰基、苯基、碳原子数1～13的烷基、卤原子、‑COOR11(R11表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。)或‑COO‑。在R3为2个以上时，2个以上R3可以相同，也可以不同。R3表示甲氧基、碳原子数1～13的烷基或卤原子。n1表示0～4的整数。n2表示0或1的整数。其中，n1与n2的合计为4以下。X1表示醚键或酯键。X2表示醚键或酯键。＊表示结合键。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118946956A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380030289.9

申请日：2023-03-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  岸冈高广

IPC: H01L21/312

Abstract: 本发明的课题是提供根据基板表面的材质而能够选择性地掩蔽的材料。解决手段是下述高分子膜形成用组合物、和使用该高分子膜形成用组合物的向基板的表面选择性形成高分子膜的方法，上述高分子膜形成用组合物是用于在具有表面由金属(I)形成的区域(R‑I)、和表面由与金属(I)不同的材质(II)形成的区域(R‑II)的基板中，选择性地在基板的区域(R‑I)上形成高分子膜的高分子膜形成用组合物，上述高分子膜形成用组合物包含自由基产生剂(A)和自由基加成反应性化合物(B)。