公开(公告)号：CN109073977B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201780025998.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 境田康志 ,  高濑显司 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)

公开(公告)号：CN109073977A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780025998.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 境田康志 ,  高濑显司 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)