公开(公告)号：CN101615634A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910017191.1

申请日：2009-08-06

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  田玉峰 ,  邓江峡 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01L29/96 ,  H01L21/329

Abstract: 单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法，属于信息技术自旋电子器件技术领域。异质结二极管的p型层为单晶Ge1－xMnx铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体Ge，其室温下的整流特性可用磁场调控，磁电阻在Ge1－xMnx居里温度附近有极值，显示其输运与Ge1－xMnx磁性半导体密切相关，其制备工艺与硅半导体制备工艺相匹配。利用分子束外延在单晶锗衬底上通过共蒸发的方式外延生长锗锰磁性半导体制备单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管。且本发明方法制备的单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管可以与现代半导体硅工艺很好的匹配，因此在自旋电子器件方面具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101299368A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810014729.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  姚新欣 ,  乔瑞敏 ,  秦羽丰 ,  孙毅彦 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/18

Abstract: 磁性增强的H掺杂MnxGe1－x磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1－x薄膜中掺杂H且其含量2at％－35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1523641A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03139039.0

申请日：2003-09-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 梅良模 ,  颜世申 ,  陈延学 ,  任妙娟 ,  季刚

IPC: H01L21/203 ,  H01F1/40

Abstract: 亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法，属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，过渡金属选自Co、Fe、Ni、Mn金属或者其合金。和其他方法相比，本发明方法制备的磁性半导体是在低温非平衡条件下生长，过渡金属的掺杂量不受固溶度限制，可以制得性能稳定、重复性好的磁性半导体材料。

公开(公告)号：CN1152440C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01107798.0

申请日：2001-02-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  萧淑琴 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  代由勇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术，先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料，然后，进行真空退火热处理，把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点，简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。

公开(公告)号：CN1121997C

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN00110845.X

申请日：2000-01-21

Applicant: 山东大学

Inventor： 胡季帆 ,  秦宏伟 ,  赵文瑾 ,  梅良模

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/622 ,  C04B35/01 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于传感、磁存储技术领域。本发明的主要内容就是将La2O3、MnO2、Ni2O3、CaCO3按La1-xCaxMn1-yNiyO3分子式的原子配比称量，混合均匀，粉碎、研磨，通过烧结最后制成是有低温下低磁场大磁电阻效应的的氧化物材料。它解决了现有技术必须在高磁场条件下工作的问题。本发明具有低温低磁场大磁电阻ΔR/R0变化特点，还有工艺简单，生产成本低等优点。

公开(公告)号：CN1300082A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN01107727.1

申请日：2001-01-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 王成建 ,  栾开政 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 银一导电陶瓷复合电接触材料,属于新材料技术领域。它的主要内容是银和导电陶瓷组成复合电接触材料,其重量比为银60%～90%,导电陶40%～10%。它克服了现有技术存在的加工性差,温度稳定性差的缺点。本发明具有较好的灭弧性、抗熔焊性、抗损耗,抗粘结性以及抗银迁移性,还具有接触电阻低而稳定。温升小等优点。

公开(公告)号：CN1021495C

公开(公告)日：1993-06-30

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC: H01F41/22 ,  H01F10/16

Abstract: 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。

公开(公告)号：CN115642011A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211364041.X

申请日：2022-11-02

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘国磊 ,  刘嘉慧 ,  张震 ,  颜世申 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01F10/00 ,  H01F41/00 ,  C30B29/52 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明涉及一种非共线反铁磁Mn3Sn单晶薄膜及其分子束外延制备方法，属于自旋电子学材料与器件技术领域。薄膜包括由下到上依次设置的衬底和Mn3Sn薄膜，Mn3Sn薄膜晶体取向为(0001)、或晶体取向为(0001)时，Mn3Sn薄膜具有六度对称性。本发明制备D019六角晶体结构的非线性反铁磁Mn3Sn薄膜，具有优良的晶体有序性和自旋有序性，而且很好的体现了块体材料中的新奇物理特性和拓扑电子输运特性，适用于后续的科学研究，是一种应用于反铁磁自旋电子学器件的优良材料。

公开(公告)号：CN104851974A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510224845.3

申请日：2015-05-05

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  梅良模 ,  田玉峰 ,  张昆 ,  李欢欢 ,  李强 ,  叶升涛 ,  康仕寿 ,  陈延学 ,  刘国磊

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。

公开(公告)号：CN102931341B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201210452332.4

申请日：2012-11-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  李强 ,  沈婷婷 ,  代正坤 ,  刘国磊 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及具有自旋电动势及巨磁电阻效应的磁性隧道结自旋电池及其制备方法。所述磁性隧道结自旋电池Co/CoO-ZnO/ZnCoO按以下方法制备：利用磁控溅射的方法，在衬底上生长铁磁金属Co层和中间绝缘层ZnO；在氧气占3‰体积比的气氛下生长ZnO层，使Co层部分氧化自然形成CoO层；氧化物磁性半导体ZnCoO层用交替沉积Co和ZnO的方法制备,Co和ZnO层的厚度在0.2-0.7nm,Co和ZnO交替沉积周期为20-50。该自旋电池在无外加电压的情况下产生的自旋电动势可以随磁场大小发生正负变化，从而可用磁场来调控电压。该自旋电池在一定的外电压条件下产生高达1000%的磁电阻，可用于磁传感器。