公开(公告)号：CN101299368A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810014729.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  姚新欣 ,  乔瑞敏 ,  秦羽丰 ,  孙毅彦 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/18

Abstract: 磁性增强的H掺杂MnxGe1－x磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1－x薄膜中掺杂H且其含量2at％－35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101299368B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810014729.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  姚新欣 ,  乔瑞敏 ,  秦羽丰 ,  孙毅彦 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/18

Abstract: 磁性增强的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1-x薄膜中掺杂H且其含量2at％-35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。