公开(公告)号：CN101256869A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710115811.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模 ,  田玉峰 ,  乔瑞敏

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18

Abstract: 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。

公开(公告)号：CN101299368B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810014729.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  姚新欣 ,  乔瑞敏 ,  秦羽丰 ,  孙毅彦 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/18

Abstract: 磁性增强的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1-x薄膜中掺杂H且其含量2at％-35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。

公开(公告)号：CN100595851C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200710115811.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模 ,  田玉峰 ,  乔瑞敏

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18

Abstract: 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。

公开(公告)号：CN101299368A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810014729.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  姚新欣 ,  乔瑞敏 ,  秦羽丰 ,  孙毅彦 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/18

Abstract: 磁性增强的H掺杂MnxGe1－x磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1－x薄膜中掺杂H且其含量2at％－35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。