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公开(公告)号：CN109256656B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811223046.4
申请日：2018-10-19
Applicant: 山东大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了自旋矩纳米振荡器，包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层；磁性固定层，其接收非自旋极化的电流，转化并输出为自旋极化的电流；合成反铁磁结构，其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出，受自旋转移矩效应而产生磁矩进动，进而输出振荡信号；非磁性间隔层，其位于磁性固定层与合成反铁磁结构之间，用于隔开两磁性层之间的磁耦合。本申请的太赫兹信号发生器在通以合适大小的电流且不需要外加磁场的情况下，即可输出THz信号。
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公开(公告)号：CN109243511A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811060639.3
申请日：2018-09-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法，包括：(1)测量磁性隧道结的磁滞回线，找出初始磁场；(2)在负磁场方向对磁性隧道结施加初始磁场；(3)对磁性隧道结施加正方向磁场，通过No overshot模式，以0～200奥斯特/秒的增加速率，将正方向磁场增大到写入磁场，得到某一多磁畴状态；(4)改变写入磁场的大小，并执行步骤(2)至步骤(3)，得到另一多磁畴状态；重复执行该步骤直至获得十种多磁畴状态；(5)读出十种多磁畴状态。本发明更可以直接应用到现有的磁性隧道结构中，极大的拓展目前磁性隧道结的性能。本发明在高密度、低功耗新型自旋电子存储器方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104851974B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510224845.3
申请日：2015-05-05
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。
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公开(公告)号：CN109243511B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811060639.3
申请日：2018-09-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法，包括：(1)测量磁性隧道结的磁滞回线，找出初始磁场；(2)在负磁场方向对磁性隧道结施加初始磁场；(3)对磁性隧道结施加正方向磁场，通过No overshot模式，以0～200奥斯特/秒的增加速率，将正方向磁场增大到写入磁场，得到某一多磁畴状态；(4)改变写入磁场的大小，并执行步骤(2)至步骤(3)，得到另一多磁畴状态；重复执行该步骤直至获得十种多磁畴状态；(5)读出十种多磁畴状态。本发明更可以直接应用到现有的磁性隧道结构中，极大的拓展目前磁性隧道结的性能。本发明在高密度、低功耗新型自旋电子存储器方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109256656A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811223046.4
申请日：2018-10-19
Applicant: 山东大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了自旋矩纳米振荡器，包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层；磁性固定层，其接收非自旋极化的电流，转化并输出为自旋极化的电流；合成反铁磁结构，其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出，受自旋转移矩效应而产生磁矩进动，进而输出振荡信号；非磁性间隔层，其位于磁性固定层与合成反铁磁结构之间，用于隔开两磁性层之间的磁耦合。本申请的太赫兹信号发生器在通以合适大小的电流且不需要外加磁场的情况下，即可输出THz信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109243512B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811060648.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法，包括：(1)在较高温度条件下，零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场；(2)退火1h；(3)在稍低温度下继续退火，对磁性隧道施加与诱导场反方向的磁场；(4)通过逐渐增加退火磁场的方式，将反铁磁层及与反铁磁层耦合的钉扎层写入到不同的磁状态；(5)读出不同的磁状态。本发明具有热稳定性高、对外界磁场不敏感、存储密度高的优点，预期在低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109215705B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811060814.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 山东大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法，包括：(1)对多畴磁性薄膜施加足够大的负饱和磁场，使多畴磁性薄膜处于单畴状态；(2)对步骤(1)操作后的多畴磁性薄膜施加正向写入磁场，通过改变写入磁场的强度，将磁性薄膜写入到不同的多磁畴状态，每一个多磁畴状态作为一个独立的存储单元；本发明能够在一个物理存储单元直接存储0,1,2,3,4,5,6,7,8,9十个数值，以区别于目前在一个物理存储单元只能存储0和1两个数值的传统技术，在高密度、低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景，还有助于开发直接利用十进制运算的计算机。本发明具有普适性强、易操作、可室温工作的优点。
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公开(公告)号：CN109243512A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811060648.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法，包括：(1)在较高温度条件下，零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场；(2)退火1h；(3)在稍低温度下继续退火，对磁性隧道施加与诱导场反方向的磁场；(4)通过逐渐增加退火磁场的方式，将反铁磁层及与反铁磁层耦合的钉扎层写入到不同的磁状态；(5)读出不同的磁状态。本发明具有热稳定性高、对外界磁场不敏感、存储密度高的优点，预期在低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109215705A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811060814.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 山东大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法，包括：(1)对多畴磁性薄膜施加足够大的负饱和磁场，使多畴磁性薄膜处于单畴状态；(2)对步骤(1)操作后的多畴磁性薄膜施加正向写入磁场，通过改变写入磁场的强度，将磁性薄膜写入到不同的多磁畴状态，每一个多磁畴状态作为一个独立的存储单元；本发明能够在一个物理存储单元直接存储0,1,2,3,4,5,6,7,8,9十个数值，以区别于目前在一个物理存储单元只能存储0和1两个数值的传统技术，在高密度、低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景，还有助于开发直接利用十进制运算的计算机。本发明具有普适性强、易操作、可室温工作的优点。
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公开(公告)号：CN104851974A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510224845.3
申请日：2015-05-05
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。
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