公开(公告)号：CN105552213B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510902153.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  田玉峰 ,  梅良模 ,  李欢欢 ,  张昆 ,  黄启坤

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种调控磁电阻比值的方法，包括：1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流；2)同时，在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1，此时输出的交流电流信号存在I1的平移：i＝I0sin(wt)+I1；3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH：其中H代表外磁场的强度，T代表所述交流电流的周期；4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小，从而调节整流电压VH的大小，最终调节磁电阻比值MR＝(VH‑V0)/V0。本发明是利用所述于器件既具有整流磁电阻，又具有直流磁电阻，进而实现调节整流电压VH的大小，最终达到调节磁电阻比值的技术效果。

公开(公告)号：CN104851974B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201510224845.3

申请日：2015-05-05

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  梅良模 ,  田玉峰 ,  张昆 ,  李欢欢 ,  李强 ,  叶升涛 ,  康仕寿 ,  陈延学 ,  刘国磊

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。

公开(公告)号：CN105552213A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510902153.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  田玉峰 ,  梅良模 ,  李欢欢 ,  张昆 ,  黄启坤

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种调控磁电阻比值的方法，包括：1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流；2)同时，在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1，此时输出的交流电流信号存在I1的平移：i＝I0sin(wt)+I1；3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH：，其中H代表外磁场的强度，T代表所述交流电流的周期；4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小，从而调节整流电压VH的大小，最终调节磁电阻比值MR＝(VH-V0)/V0。本发明是利用所述于器件既具有整流磁电阻，又具有直流磁电阻，进而实现调节整流电压VH的大小，最终达到调节磁电阻比值的技术效果。

公开(公告)号：CN104851974A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510224845.3

申请日：2015-05-05

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  梅良模 ,  田玉峰 ,  张昆 ,  李欢欢 ,  李强 ,  叶升涛 ,  康仕寿 ,  陈延学 ,  刘国磊

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。