公开(公告)号：CN1303133A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN01107798.0

申请日：2001-02-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  萧淑琴 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  代由勇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术,先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料,然后,进行真空退火热处理,把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点,简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。

公开(公告)号：CN106783831A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201610989374.X

申请日：2016-11-10

Applicant: 山东大学

Inventor： 田玉峰 ,  刘其玮 ,  张昆 ,  黄启坤 ,  王静 ,  代由勇 ,  颜世申

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L25/16 ,  G06F17/5036 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件。本发明利用二极管整流效应和单纯具有磁电阻效应的器件共同作用，来实现整流磁电阻效应。本发明还提供一种上述整流磁电阻器件的制备方法。本发明还提供一种基于上述整流磁电阻器件建立数学理论模型的方法。该方法利用各器件的电学特性及其工作原理建立的理论数学模型来仿真器件的电输运特性。本发明通过将整流器件和磁电阻器件并联，将整流效应和磁电阻效应有机的结合在一起，从而实现了整流电压随外磁场的变化而变化，即实现了整流磁电阻效应。

公开(公告)号：CN1152440C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01107798.0

申请日：2001-02-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  萧淑琴 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  代由勇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术，先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料，然后，进行真空退火热处理，把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点，简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。