公开(公告)号：CN1523641A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03139039.0

申请日：2003-09-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 梅良模 ,  颜世申 ,  陈延学 ,  任妙娟 ,  季刚

IPC: H01L21/203 ,  H01F1/40

Abstract: 亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法，属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，过渡金属选自Co、Fe、Ni、Mn金属或者其合金。和其他方法相比，本发明方法制备的磁性半导体是在低温非平衡条件下生长，过渡金属的掺杂量不受固溶度限制，可以制得性能稳定、重复性好的磁性半导体材料。

公开(公告)号：CN1253924C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN03139039.0

申请日：2003-09-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 梅良模 ,  颜世申 ,  陈延学 ,  任妙娟 ,  季刚

IPC: H01L21/203 ,  H01F1/40

Abstract: 亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法，属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，过渡金属选自Co、Fe、Ni、Mn金属或者其合金。和其他方法相比，本发明方法制备的磁性半导体是在低温非平衡条件下生长，过渡金属的掺杂量不受固溶度限制，可以制得性能稳定、重复性好的磁性半导体材料。

公开(公告)号：CN1644751A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510042037.1

申请日：2005-01-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  任妙娟 ,  季刚 ,  梅良模

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 纳米晶CoZnO紫外发光薄膜及其制备方法，属于光电子材料领域。纳米晶CoZnO紫外发光薄膜分子式为：Co1－xZnxO，其中，x＝0.30～0.60，相结构为六角结构的多晶体，晶粒为5nm～10nm的球形晶粒。原材料为纯度99.9％的Co或CoO与Zn或ZnO的组合。通过磁控溅射沉积，将上述含Co和Zn的原材料进行纳米厚度的交替沉积，沉积的速率控制在0.02nm－0.07nm/s；含Co层或含Zn层的单层厚度在0.3nm－3nm。本发明的紫外发光薄膜Co掺杂量不受固溶度限制，可以在较宽范围内对薄膜的发光特性、电性能、结构等进行调制，比纯ZnO的紫外/蓝色比高出50％。