公开(公告)号：CN100552890C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710126919.5

申请日：2007-07-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·M·盖茨 ,  S·V·恩古源 ,  R·D·米勒 ,  V·Y-W·李 ,  A·格里尔 ,  G·J-M·迪布瓦 ,  V·V·帕特尔

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/29 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。

公开(公告)号：CN100539118C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610002175.1

申请日：2006-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·莱恩 ,  R·D·米勒 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  S·V·恩古源

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01B3/18

CPC classification number: H01L31/103 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si-CH3官能团，以及另一部分C原子键合为Si-R-Si、-[CH2]n-、HC＝CH、C＝CH2、C≡C或[S]n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。

公开(公告)号：CN101414587A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810213766.2

申请日：2008-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特拉科波洛斯 ,  C·J·乔吉奥 ,  A·格里尔 ,  B·E·罗戈维茨

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括管芯的半导体器件和用于在其表面上提供冷却装置的方法，该管芯具有至少一个限定的热点区域；以及温度比热点区域的温度低的至少一个限定的中温区域。该器件还包括冷却结构，其包括用于冷却热点区域的至少一束第一纳米管以及用于冷却中温区域的并且热导率低于第一纳米管束的至少一束附加纳米管。两组纳米管的热导率足以减少在限定的热点区域、限定的中温区域和管芯上的至少一个较低温度区域之间的任何温度梯度。第一纳米管和附加纳米管的壁由与较低温度区域操作性地相关联的导热的基体材料包围。

公开(公告)号：CN100370586C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200380103517.3

申请日：2003-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·H·克里斯坦森 ,  J·O·初 ,  A·格里尔 ,  P·M·穆尼

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461

Abstract: 一种获得在Si或绝缘体上硅(SOI)衬底上的薄(小于300nm)的应变弛豫Si1-xGex缓冲层的方法。这些缓冲层具有释放应变的均匀分布的失配位错、显著平滑的表面、以及低螺旋位错(TD)密度，即小于106cm-2。所述方法首先生长假晶或近似假晶Si1-xGex层，即没有失配位错的层，然后将He或其它轻元素注入所述层，随后进行退火，以获得充分的应变弛豫。在本方法中使用的非常有效的应变弛豫机制是在He致片晶(无气泡)上的位错成核，所述片晶位于Si/Si1-xGex界面之下，平行于Si(001)表面。

公开(公告)号：CN1782125A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510112743.9

申请日：2005-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·源 ,  A·格里尔 ,  S·M·盖茨 ,  D·A·诺伊迈尔

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/22 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249921

Abstract: 本发明涉及一种由具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体制备包含Si、C、O和H原子的SiCOH介电材料的方法。所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体选自分子式为SiRR1R2R3的硅烷(SiH4)衍生物、分子式为R4R5R6Si－O－Si－R7R8R9的二硅氧烷衍生物、分子式为R10R11R12－Si－O－Si－－R13R14－O－Si－R15R16R17的三硅氧烷衍生物，其中R和R1－17可以相同或不同，并选自H、烷基、烷氧基、环氧基、苯基、乙烯基、烯丙基、烯基或炔基，它们可以是直链、支链、环状、多环状的，并且可以被含氧、氮或氟的取代基官能化。除了上述方法，本申请还提供了由本发明方法制备的SiCOH电介质以及包含该电介质的电子结构。

公开(公告)号：CN1332446A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01103032.1

申请日：1995-10-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·格里尔 ,  V·V·帕特尔

IPC: G11B5/72 ,  G11B5/255 ,  C23C16/27

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/255 ,  G11B5/72 ,  G11B5/8408 ,  Y10S427/106 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/265

Abstract: 磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层,由经氟化的类金刚石碳用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成,具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。