公开(公告)号：CN103215540A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310102551.4

申请日：2013-03-28

Applicant: 同济大学

Inventor： 焦宏飞 ,  王利 ,  程鑫彬 ,  马彬 ,  王占山 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于薄膜光学领域，具体涉及一种提高偏振膜激光损伤阈值的制备方法，主要针对偏振激光薄膜中引起损伤发生的关键因素——基板表面及亚表面处的纳米吸收中心、薄膜中的吸收及缺陷，分别在薄膜制备前，采用高能离子束对基板进行轰击刻蚀处理，同时在薄膜镀制过程中，当每层膜镀制结束后，采用高能离子束对薄膜进行轰击处理。此方法既可以克服传统机械式抛光引起的抛光液残留问题，又可以避免化学方式刻蚀引起基板划痕或裂纹被放大引起酸残留或抛光液团聚现象发生，刻蚀深度和表面粗糙度可以精确控制，非常高效地降低了纳米吸收中心的密度；另外，此方法不但保留了电子束热蒸发方法镀制激光薄膜独特的有利的性能又同时改善了薄膜的本征吸收和缺陷密度。此方法具有针对性强、品质高、简单易行的特点。

公开(公告)号：CN103018213A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110288811.2

申请日：2011-09-26

Applicant: 同济大学

Inventor： 刘永利 ,  张锦龙 ,  程鑫彬 ,  马彬 ,  焦宏飞 ,  丁涛 ,  韩金 ,  张艳云 ,  王玲 ,  王占山

IPC: G01N21/59

Abstract: 本发明涉及一种光学薄膜0-70°入射的宽光谱透射率测量方法及装置，其方法具体包括以下步骤：1)测量基板在入射角为0°时的透射率T0°；2)根据1)中测得的透射率T0°计算基板在入射角为α时的S光和P光透射率的理论值和；3)测量基板在入射角为α时的S光和P光透射率的测量值和；4)计算偏振特性因子p；5)用测试样品替换基板，分别测量测试样品在入射角为α时的S光和P光透射率的测量值和；6)计算测试样品S光和P光的透射率TS和TP。与现有技术相比，本发明在理论上消除偏振因素对测量结果的影响，提高了测量精度，而且测量中通过旋转测试样品的入射面来实现在S光和P光之间的切换，降低了对偏振器的精度要求，从而降低了测量成本。

公开(公告)号：CN102901462A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210362668.1

申请日：2012-09-26

Applicant: 同济大学

Inventor： 沈正祥 ,  徐旭东 ,  孙晓雁 ,  王晓强 ,  马彬 ,  程鑫彬 ,  王占山

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种基于稀疏孔径拼接的平面光学元件检测方法。子所述检测装置包括：二维平移台、干涉仪和标准平面透镜，具体步骤为：将所述平面光学元件固定在二维平移台上，干涉仪对准所述平面光学元件的位置；调节二维平移台到达指定目标分布区域，使干涉仪出瞳对准平面光学元件的几何中心部分，干涉仪对该几何中心部分进行采集测量计算，得到该子孔径面型信息；重复前述步骤，直到完成全部子孔径的测量，即可实现所述平面光学元件的稀疏子孔径测量。本发明针对环形抛光的平面光学元件面形具有较高圆对称性的特点，通过一定规则指定检测区域，可达到不覆盖全孔径，快速完成大口径光学平面的稀疏孔径检测的目的，为环形抛光的工序检验提供一种经济的检测方法。

公开(公告)号：CN102841097A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210326252.4

申请日：2012-09-05

Applicant: 同济大学

Inventor： 马彬 ,  张艳云 ,  马宏平 ,  程鑫彬 ,  焦宏飞 ,  王占山

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明涉及一种基于高精度复位技术的损伤阈值测量方法及测量装置，所述的方法包括以下步骤：将被测样品固定在电动平移台上，获得泵浦激光器辐照前后被测样品的每个测量点的图像序列；比较辐照前后获得的图像序列，根据差异判断样品是否发生损伤，并控制被测样品回到发生损伤的位置，对损伤点进行进一步检验；提升泵浦激光器的能量，重复获得辐照后的被测样品图像序列，即可实现被测样品相同区域在泵浦激光不同能量辐照下的测量；所述的装置包括用于发射泵浦激光的泵浦激光器、用于带动被测样品移动的电动平移台、照明电源和实时监测并获取被测样品图像的损伤监控组件。与现有技术相比，本发明具有损伤识别精度高、装置结构简单等优点。

公开(公告)号：CN102825028A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210332348.1

申请日：2012-09-11

Applicant: 同济大学

Inventor： 丁涛 ,  孙晓雁 ,  张锦龙 ,  程鑫彬 ,  焦宏飞 ,  沈正祥 ,  马彬 ,  王占山

IPC: B08B3/08 ,  B08B3/12

Abstract: 本发明涉及一种YCOB晶体抛光表面的清洗方法，具体步骤为：用蘸有丙酮的棉签轻拭YCOB晶体抛光表面，将擦拭后的YCOB晶体置于第一清洗槽中，第一清洗槽中加入碱性溶液对该样品进行清洗，溶液温度为室温；所述碱性溶液体积比为NH4OH：H2O2：H2O=1:8:40；将所得溶液分别在20KHz～60KHz、80KHz～160KHz频率下先后超声2～4分钟；所得样品放置于第二清洗槽中，用去离子水漂洗，去离子水温度为室温；将样品放置第三清洗槽中，第三清洗槽中加入去离子水，分别在20KHz～60KHz、80KHz～160KHz频率下先后超声3～6分钟；取出样品，重复清洗，干燥，即得所需产品。本发明的优点是在达到较高清洗效率、有效去除表面有机污染物和污染颗粒的同时，对YCOB晶体抛光表面不会造成损伤，避免了晶体内部和表面的缺陷产生，保证晶体镀膜后具有高的损伤阈值。

公开(公告)号：CN102798491A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110134521.2

申请日：2011-05-23

Applicant: 同济大学

Inventor： 叶晓雯 ,  丁涛 ,  程鑫彬 ,  马彬 ,  何文彦 ,  韩金 ,  张艳云 ,  王占山

IPC: G01L1/24 ,  G01N21/45

Abstract: 本发明涉及一种薄膜残余应力分离和测量装置，包括密封箱、干涉仪、反射镜、加热板、水平微调底座及输气管，干涉仪、反射镜、加热板、水平微调底座及输气管均设置在密封箱内，干涉仪发出光束，经反射镜反射到达待测样品的表面，光束被反射后再次经过反射镜反射回到干涉仪中，与干涉仪中的标准面的反射光发生干涉。与现有技术相比，本发明可以测量计算薄膜样品的残余应力；各成分应力(由水诱发应力、热应力和内应力)；薄膜的热膨胀系数和弹性模量；模拟薄膜样品在真空中应力的演化情况，是一种非接触、无破坏性的检测方法，测量精度高，操作方便。

公开(公告)号：CN117784436B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202311676709.9

申请日：2023-12-08

Applicant: 同济大学

Inventor： 焦宏飞 ,  李冬冬 ,  张锦龙 ,  钮信尚 ,  汲小川 ,  夏菁菁 ,  顿雄 ,  程鑫彬 ,  王占山

IPC: G02B27/10 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明涉及一种多波段激光合束系统及光束控制方法，包括激光合束模块和合成光束监控模块，激光合束模块包括子束激光器、控制反射镜、光束合成镜和高反镜，子束激光器所发出的子光束照射到控制反射镜上，经过控制反射镜的反射到达光束合成镜合成为合成光束，经过光束合成镜到达高反镜，从高反镜一面反射出合成激光，另一面输出测试光束进入合成光束监控模块。与现有技术相比，本发明具有实现了多光束的合成，适合各种能量或宽波段的激光器；实现了对各光束的绝对位置控制，再通过反馈调整保证了合成精度；保证了激光合成光束的指向稳定性，降低了后续激光发射系统的难度等优点。

公开(公告)号：CN118980860A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411168206.5

申请日：2024-08-23

Applicant: 同济大学 ,  中国计量科学研究院

Inventor： 程鑫彬 ,  邓晓 ,  殷聪 ,  王建波 ,  李同保 ,  周通 ,  薛栋柏 ,  肖光旭 ,  沈俊宇 ,  尹志珺

IPC: G01R23/14

Abstract: 本发明公开了一种基于感生荧光效应的425nm波长基准构建方法及装置，涉及跃迁频率测量领域，装置包括，连续可调谐激光器，原子炉，铬原子束，光学频率梳，倍频光路，保偏光纤分束器，保偏光纤合束器，拍频检测光路，光电接收器以及频率计数器；连续可调谐激光器的输出端与保偏光纤分束器的输入端连接；光学频率梳的输出端与倍频光路连接；倍频光路和和保偏光纤分束器的第一输出端分别与光纤合束器的输入端连接；铬原子束经原子炉喷发与保偏光纤分束器的第二输出端发生作用；保偏光纤合束器的输出端与拍频检测光路的输入端连接；拍频检测光路的输出端通过光电接收器与频率计数器的输入端连接。本方法填补了蓝紫光波段波长基准的空白。

公开(公告)号：CN118914596A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410993767.2

申请日：2024-07-24

Applicant: 同济大学

Inventor： 邓晓 ,  程鑫彬 ,  李同保 ,  唐朝辉 ,  薛栋柏 ,  肖光旭 ,  尹志珺

IPC: G01Q30/02 ,  B82Y35/00 ,  B82Y20/00 ,  G01Q30/20

Abstract: 本发明公开了一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法，属于纳米计量溯源技术领域，包括如下步骤：S1、采用原子光刻技术制备掩膜光栅；S2、利用软X射线干涉光刻技术制备得到硅光栅；S3、基于原子能级跃迁波长计算硅光栅的理论周期值；S4、基于硅光栅的TEM图像，以硅晶面间距为基准标尺测量硅光栅的实际周期值；S5、通过比较硅光栅的理论周期值与实际周期值给出两种溯源传递方式的一致性评价。本发明采用上述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法，实现了原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对，比较了两种长度溯源链的准确性和一致性。

公开(公告)号：CN118759778A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411072357.0

申请日：2024-08-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 程鑫彬 ,  董思禹 ,  朱静远 ,  宁燚 ,  魏泽勇 ,  焦宏飞 ,  张锦龙 ,  王占山

IPC: G02F1/29 ,  G02B5/18 ,  G02B26/08 ,  G02B26/10

Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的MEMs光学相控阵，属于光学相控阵技术领域。其装置包括若干MEMs横向位移器和若干超表面光栅，每个MEMs横向位移器与每个超表面光栅由下到上集成连接组成一个移相器单元，每个移相器单元均位于控制电路上，若干个移相器单元组成相控阵。本发明提供的一种基于超表面的MEMs光学相控阵，其中超表面光栅器具有高衍射效率和高激光损伤阈值以及MEMs横向位移器具有微秒级的响应速度。与现有MEMs相控阵技术相比，本发明提出的基于超表面的MEMs光学相控阵具有更高的光学效率、更强的激光负载和更快的扫描速度，在满足光束扫描系统小型化和轻量化的同时具备更优的性能，在导弹制导、测绘、无人驾驶等领域有着重要的作用。