公开(公告)号：CN105261637B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510403987.6

申请日：2015-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  刘继文 ,  郑志成 ,  王廷君

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明实施例公开了一种具有作为功函数层和/或多功能阻挡/润湿层的碳氮化铝钛(TiAlCN)的金属栅极堆叠件及其制造方法。在实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中多功能阻挡/润湿层包括TiAlCN、设置在多功能阻挡/润湿层上方的功函数层以及设置在功函数层上方的导电层。

公开(公告)号：CN104681613B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410291087.2

申请日：2014-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了半导体器件的FIN结构。一种诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的鳍结构及其制造方法。在一个实施例中，在衬底中形成沟槽，并沿着沟槽的侧壁形成内衬，其中，相邻沟槽之间的区域限定了鳍。介电材料形成在沟槽中。鳍的部分半导体材料的由第二半导体材料和第三半导体材料替代，第二半导体材料具有不同于衬底的晶格常数，且第三半导体材料具有不同于第二半导体材料的晶格常数。部分第二半导体材料被氧化。

公开(公告)号：CN104576735B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410344757.2

申请日：2014-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  陈冠霖 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/76205 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种具有掩埋绝缘层的FinFET及其形成方法。公开了一种适用于FinFET并具有掩埋绝缘层的鳍结构。在示例性实施例中，半导体器件包括衬底，该衬底具有第一半导体材料并具有在该衬底上形成的鳍结构。鳍结构包括：邻近衬底的较低区域；设置在较低区域上的第二半导体材料；设置在第二半导体材料上的第三半导体材料；以及选择性地设置在第二半导体材料上的绝缘材料，使得绝缘材料将鳍结构的沟道区电隔离并进一步地使得绝缘材料在沟道区上施加应变。半导体器件还包括邻近鳍结构设置的隔离部件。

公开(公告)号：CN104733299B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201410281111.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘继文 ,  王昭雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/535 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及交错地形成镍硅和镍锗结构。本发明提供了用于在单个半导体衬底上产生半导体器件的系统和方法。产生的单个半导体衬底包括硅材料部分和锗材料部分。由第一金属在硅材料部分上形成第一组源极/漏极接触件。在第一温度下使用硅材料部分对第一组源极/漏极接触件进行退火。在将半导体衬底加热到第一温度之后，由第二金属在锗材料部分上形成第二组源极/漏极接触件，以及在第二温度下使用锗材料部分对第二组源极/漏极接触件进行退火，其中，第二温度小于第一温度。

公开(公告)号：CN107039276A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610824040.7

申请日：2016-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家铭 ,  刘继文 ,  黄信杰 ,  李政键

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体器件包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍存在于衬底上。半导体鳍上具有至少一个凹槽。外延结构存在于半导体鳍的凹槽中。外延结构的最顶位置的n‑型杂质浓度低于位于最顶位置下方的外延结构的位置的n‑型杂质浓度。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。

公开(公告)号：CN107017303A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611264421.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林时彦 ,  吴崇荣 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/443 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/24

Abstract: 提供半导体装置结构，半导体装置结构包含基底。半导体装置结构包含半导体层位于基底上方，半导体层包含过渡金属硫属化物。半导体装置结构包含源极电极和漏极电极位于半导体层上方并连接半导体层，且通过间隙彼此间隔开，源极电极和漏极电极由石墨烯制成。

公开(公告)号：CN106847916A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610815934.X

申请日：2016-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家铭 ,  刘继文 ,  李政键 ,  黄信杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/165 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍位于衬底上。半导体鳍具有位于其上的至少一个凹槽。外延结构位于半导体鳍的凹槽中。外延结构包括沿着从半导体鳍至衬底的方向布置的最顶部部分、第一部分和第二部分。第一部分具有比最顶部部分的锗原子百分比和第二部分的锗原子百分比高的锗原子百分比。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106653833A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610534560.4

申请日：2016-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  洪奇成 ,  刘继文 ,  曾鸿辉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置与形成鳍式场效晶体管装置的方法。鳍式场效晶体管装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构包含有设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含有钛铝合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。鳍式场效晶体管装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构含有设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。

公开(公告)号：CN106505104A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610671579.3

申请日：2016-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭彦明 ,  刘继文 ,  黄信杰 ,  许一如 ,  曾鸿辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明的实施例提供一种FinFET器件，FinFET器件包括衬底、形成在衬底上的鳍和横越鳍的栅电极。栅电极包括头部和尾部，并且尾部连接至头部并且向衬底延伸。头部的宽度大于尾部的宽度。本发明的实施例还提供了另一种FinFET器件及用于制造FinFET器件的方法。

公开(公告)号：CN106505097A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610728449.9

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄钲谦 ,  刘继文 ,  曾鸿辉 ,  江宗育

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：FinFET组件；多个图案化的伪半导体鳍，布置在所述FinFET组件的多个鳍旁；隔离结构，形成在所述图案化的伪半导体鳍上；以及调整组件，形成在所述图案化的伪半导体鳍上，并且电连接至所述FinFET组件。所述图案化的伪半导体鳍的高度比所述FinFET组件的鳍的高度短。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。