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公开(公告)号：CN101853808A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910166073.7
申请日：2009-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02365 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02538 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L29/12
Abstract: 本发明提供一种形成电路结构的方法，包含提供一基板；形成数个凹槽于该基板；形成一掩模层于该基板上，其中该掩模层覆盖该基板非凹陷的部分，使得该掩模层上的开口露出该凹槽；形成一缓冲/成核层于该凹槽内所露出的基板部分；以及，由该凹槽成长一III-V族化合物半导体层直到由该凹槽所成长的该III-V族化合物半导体层部分互相接合，形成一连续的III-V族化合物半导体层。由于本发明由位于该基板内的凹槽来成长该III-V族化合物半导体材料，因此本发明具有增加侧向成长的效果及减少工艺的复杂度等优点。
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公开(公告)号：CN101752336A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910141082.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05027 , H01L2224/0557 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13147 , H01L2224/1401 , H01L2224/1701 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，包括用于叠置芯片的凸块结构。在一半导体基底内形成硅通孔电极。对半导体基底的背侧进行薄化，以露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧及硅通孔电极的露出部分上方形成一隔离层。对隔离层进行薄化，以再次露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧形成焊垫及重布线，以电性连接硅通孔电极。形成另一隔离层并进行图案化，再形成一阻挡层，以提供接触接垫来连接外部装置，例如，另一芯片/晶片或电路板。本发明解决了现有技术存在的问题，易于在热预算内形成重布线层。
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公开(公告)号：CN101667570A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910163585.8
申请日：2009-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H05B37/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H05K1/0206 , H05K1/113 , H05K2201/10106 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电路结构，该结构包括载体基板，其包括第一通孔以及第二通孔。每一第一通孔及每一第二通孔自载体基板的第一表面延伸至对向的第二表面。上述电路结构还包括发光二极管芯片接合至载体基板的第一表面上。发光二极管芯片包括第一电极及第二电极，且第一电极及第二电极分别连接至第一通孔及第二通孔。本发明可以较小面积的基板形成较紧密的元件。
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公开(公告)号：CN101651180A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910130208.4
申请日：2009-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01S5/34 , H01L21/20 , H01L21/311
Abstract: 一种半导体结构，包括：一基板以及位于该基板上的一导电载子穿隧层。该导电载子穿隧层则包括：多个第一型III族氮化物膜层，具有一第一能隙，其中所述多个第一型III族氮化物膜层分别具有少于约5纳米的一厚度；以及多个第二型III族氮化物膜层，具有低于该第一能隙的一第二能隙，其中所述多个第一型III族氮化物膜层与所述多个第二型III族氮化物膜层交错且堆叠地设置，其中于该基板与该导电载子穿隧层之间则不存在有一III族氮化物层。上述半导体装置还包括一有源层，位于该导电载子穿隧层之上。本发明不仅可降低操作电压，且操作电压并不需达到其离散值，因而简化了光电装置的操作。
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公开(公告)号：CN101635328A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910132275.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种发光二极管(LED)及其形成方法。本发明的LED包括一基底、一堆叠的LED结构以及一镶嵌的底部电极。LED结构包括一缓冲/成核层形成于基底之上，一活性层，以及一顶部接触层。一第一接触III族-氮化物层设置于缓冲/成核层与活性层之间。一第二接触III族-氮化物层设置于活性层与顶部接触层之间。一底部电极延伸过基底及缓冲/成核层至第一接触III族-氮化物层之中。本发明的发光二极管及其形成方法可减少工艺并降低成本。本发明因不需进行会损害发光二极管的顶部蚀刻程序，因此可减少工艺缺陷及增加产量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635255A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910128705.0
申请日：2009-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/329 , H01L21/306 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02617 , H01L21/02664
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供一基底；形成一缓冲/成核层于该基底上；形成一第III族氮化物层于该缓冲/成核层上；以及使该第III族氮化物层受到氮化。形成该第III族氮化物层的步骤包括金属有机气相化学沉积。本发明可使用湿蚀刻来图案化第三族氮化物层，并有效地减少于第III族氮化物层中的氮空缺，从而改善掺杂物的激活率，并增加这些层别中的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN101577304A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910137864.7
申请日：2009-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/16
Abstract: 一种发光二极管(LED)的封装结构与制造方法。在发光二极管封装结构的优选实施例中，多个散热孔穿过封装基材，以有效将热从发光二极管(LED)散出，且优选伴随形成穿过封装基材的导电孔。这些散热孔的形状优选为圆形或矩形，且也可以是实心或可以环绕或包围封装基材的一部分。本发明的优选实施例的优点在于，由LED产生的热能快速且有效地借由此封装结构散出。此LED封装结构能产生较少的热衰减且因此增加LED的生命周期。
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公开(公告)号：CN101577302A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910134055.0
申请日：2009-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02595
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，包括：一基底；一多结晶层，位于该基底上，该多结晶层含有硅；一第一接触层，位于该多结晶层上；一活性层，位于该第一接触层上；以及一第二接触层，位于该活性层上。本发明的优点在于减少外延成长的成本，减少形成成核层所需时间。而且此多结晶层更适合用于垂直芯片的制造。
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公开(公告)号：CN101572289A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910135472.7
申请日：2009-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种具有一嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构。该发光二极管元件包括一发光二极管结构与一上电极。该发光二极管结构包括多层结构，设置于一包含一有源发光区的基板上。该发光二极管结构的一上层包括一上接合层。该上电极嵌入该上接合层，其中该上电极与该上接合层电性接合。本发明可提供一有效传递电流的电极同时提高光穿透。
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公开(公告)号：CN101447400A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810169259.3
申请日：2008-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/67051 , H01L24/28 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/8301 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01094 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/19042 , Y10T156/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种芯片－晶圆接合装置，包括清洁组件，用以清洗芯片；芯片－晶圆接合室，用以接受清洁组件的芯片，并将芯片接合到晶圆上。本发明还提供一种利用此接合装置的芯片－晶圆接合方法。本发明具有无氧环境，高接合率及/或其他芯片－晶圆接合程序的优点。
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