公开(公告)号：CN116634778A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310635608.0

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  梁晋玮 ,  林杏莲 ,  江法伸

IPC: H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明的实施例提供一种形成存储器器件的方法，包括：在衬底上方形成绝缘体层，其中所述绝缘体层定义第一开口；在所述第一开口内形成导通孔；在所述导通孔上方形成存储单元堆叠，其中所述存储单元堆叠包含上覆于吸气剂金属层的第一电极、上覆于所述第一电极的第一相变层以及上覆于所述第一相变层的第二电极；以及使所述存储单元堆叠图案化成存储单元，使所述顶部电极的侧壁与所述吸气剂金属层的侧壁对准。

公开(公告)号：CN114823679A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110918219.X

申请日：2021-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  卫怡扬 ,  李璧伸 ,  江法伸 ,  匡训冲 ,  蔡正原

IPC: H01L27/11507 ,  H01L27/11514

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括配置在衬底之上的一个或多个内连线介电层。底部电极设置在导电结构之上且延伸穿过所述一个或多个内连线介电层。顶部电极设置在底部电极之上。铁电层设置在底部电极与顶部电极之间且接触底部电极及顶部电极。铁电层包括第一下部水平部分、第一上部水平部分及第一侧壁部分，所述第一上部水平部分配置在第一下部水平部分上方，所述第一侧壁部分将所述第一下部水平部分耦合到所述第一上部水平部分。

公开(公告)号：CN113471247A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110665425.4

申请日：2021-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江法伸 ,  陈侠威 ,  金海光 ,  匡训冲

IPC: H01L27/22 ,  H01L27/24 ,  G11C16/04

Abstract: 一种存储器器件包括场效应晶体管和可变电容电容器。栅极结构包括栅极电介质和中间电极。该可变电容电容器包括：下电容器板，包括中间电极；上电容器板，包括控制栅极电极；以及可变电容节点电介质，并包括电场可编程金属氧化物材料。该电场可编程金属氧化物材料提供可变有效介电常数，并且数据位可作为可变电容节点电介质的介电状态存储在存储器器件中。该可变电容节点电介质提供其中的金属原子的可逆电场相依电阻率调制或可逆电场相依移动。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。

公开(公告)号：CN112687791A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010411079.2

申请日：2020-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  江法伸 ,  林杏莲 ,  吴启明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。

公开(公告)号：CN110783452A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910119439.9

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  梁晋玮 ,  林杏莲 ,  江法伸

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。