公开(公告)号：CN108962922A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710646919.1

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  林群智 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  张文山 ,  林艺民 ,  张朝钦 ,  陈志轩 ,  李锦思 ,  蔡育廷

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。

公开(公告)号：CN106981474A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610729455.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  吴正一 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  林艺民 ,  李锦思 ,  张文山 ,  陈宜辉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76898

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。

公开(公告)号：CN219861574U

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202320940222.6

申请日：2023-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭宣颖 ,  李锦思 ,  施江宪 ,  吴志昌 ,  董哲惟

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/44

Abstract: 本文所描述的一些实施例提供一种沉积工具，包括一接地构件，在基板平台的边缘环与抽吸盘构件之间。接地构件包括一接地带，具有变形区域。变形区域包括一凹陷边缘以减少沉积工具的操作期间接地带摩擦抽吸盘构件表面的可能性。接地带的材料性质可减少重复循环期间接地带的塑性变形。以此方式，可减少从抽吸盘构件的表面脱落的微粒量，以提升利用沉积工具制造半导体产物的产率。进一步地，可减少维修接地构件的频率，以减少沉积工具的停机时间且增加利用沉积工具制造半导体产物的生产量。

公开(公告)号：CN222338257U

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202420613493.5

申请日：2024-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘謦贤 ,  曾圣博 ,  张振涼 ,  李锦思 ,  何宜臻

IPC: H01L21/683 ,  B65G49/07 ,  H01L21/677

Abstract: 本公开的实施例提供一种真空尖头及取放工具。其可在不使晶粒变形的情况下执行集成电路晶粒的附接和分离。在一实施例中，提供一种用于运送集成电路晶粒的真空尖头。所述真空尖头包括具有顶面和底面的主体，以及形成在顶面中并进入主体的多个凹槽，其中凹槽从主体的中心点径向向外延伸。所述真空尖头还包括在主体中的通道，其中通道从凹槽的底部穿过主体延伸到主体的底面，且通道和主体基本上同轴。