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公开(公告)号：CN108803246A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810402849.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于产生极紫外光光线的方法和系统，包括提供具有高斯分布的一激光光束。此激光光束可以从高斯分布修饰为一环形分布。经修饰的激光光束通过收集器中的一孔洞提供，并与移动的液滴目标接触，以产生一极紫外光波长光线。从照射区域(前焦点)所产生的极紫外光波长光线被提供至收集器反射并汇聚至中介焦点区域(后焦点)作为曝光机的点光源。在一些实施例中，一罩元件亦可用来修饰激光光束的形状。
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公开(公告)号：CN103681782A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210507320.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , G03F7/70708 , H01L21/26506 , H01L21/32155 , H01L21/6831 , H01L29/0603 , H01L29/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的一个实施例。半导体结构包括具有正面和背面的半导体衬底；形成在半导体衬底的正面上的集成电路部件；以及设置在半导体衬底的背面上的多晶硅层。本发明还提供了用于夹持作用减小的远紫外静电吸盘的方法及结构。
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公开(公告)号：CN101231479B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710129408.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70341 , G03F7/707
Abstract: 一种浸润式微影方法、浸润式微影系统及其封闭板的对准方法。该浸润式微影系统的封闭板的对准方法，其中该浸润式微影系统包括具有一封闭板的一晶圆承载装置，该浸润式微影系统的封闭板的对准方法至少包括：提供一平板承载装置给该封闭板；提供一光侦测器至该平板承载装置的下方；以及进行一侦测步骤，以使用该光侦测器来侦测穿过该封闭板的一辐射线是否对准该平板承载装置，使该封闭板通过该侦测步骤而被对准。本发明还公开了一种浸润式微影方法及浸润式微影系统。本发明改善习知使用传送影像感测器来校正流体封闭板位置的缺点，借以避免与晶圆承载装置或其他材料的碰撞到，并改善浸润式微影的效率。
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公开(公告)号：CN101174095A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710110599.4
申请日：2007-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03B27/52 , G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 本发明公开了一种适用于浸润式微影制程的方法与系统。此方法包括：供应浸润流体给位于影像透镜和欲进行图案化的基材两者之间的空间。在位于此空间的浸润流体中产生电场。其中电场会促使微粒离开基材表面。藉由浸润流体体将微粒从基材表面移除。之后补充空间之中的浸润流体，并在基材表面进行微影曝光制程。本发明还公开了浸润式微影系统。本发明可以在不影响微影扫瞄器运作的前提下，轻易移除基材表面上的微粒。
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公开(公告)号：CN119758679A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510183754.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外线辐射源模块，包含一目标液滴产生器，配置于产生复数个目标液滴；一第一激光光源，配置于产生复数个第一激光脉冲，第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团；一第二激光光源，配置于产生复数个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标云雾团以产生一等离子体发射极紫外线辐射；一第三和激光光源及一第四激光光源，分别配置于产生一第一激光光束和一第二激光光束，第一激光光束和一第二激光光束被引导至目标云雾团的一行进路径上，且第一激光光束和一第二激光光束基本上平行；以及一监视器，配置于接收由目标云雾团反射的第一激光光束和一第二激光光束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118818911A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410859476.4
申请日：2018-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括以一标的发射器发射一标的至一激发腔中；以一第一激光发射器发射一预脉冲激光至该激发腔中的一激发区域以照射该标的，其中该预脉冲激光具有一第一功率以加热该标的；以一第二激光发射器发射一脉冲激光至该激发腔中的该激发区域以照射该标的，其中该脉冲激光具有大于该第一功率的一第二功率，以激发雾状该标的成为等离子体并发射极紫外线；以及将该极紫外线经由一光掩模导向至一晶片，以对该晶片进行一光刻工艺。
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公开(公告)号：CN114815499A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210050402.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外(EUV)微影系统包含扫描器。微影系统用扫描器中的倍缩光罩执行EUV微影制程。扫描器包含倍缩光罩储存腔室、倍缩光罩背侧检查腔室及倍缩光罩清洁腔室。倍缩光罩清洁腔室对扫描器中的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。
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公开(公告)号：CN109814330B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201811365845.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/40
Abstract: 本公开提供一种提供了掩模、掩模容器和掩模上累积的静电荷的放电方法。掩模包括遮罩基板、反射多层结构、覆盖层、吸收结构和导电材料结构。遮罩基板具有前侧表面和后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的侧壁表面和吸收结构的侧壁表面上方。
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