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公开(公告)号：CN105789397A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610212121.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种正装GaN LED芯片及其制作方法，涉及发光二极管LED的生产技术领域。先在衬底的同一侧制作外延层和透明导电层，在N电极扩展条制作区域的透明导电层上，由透明导电层向N?GaN层分别刻蚀形成若干均匀分布的N电极流出孔道；在透明导电层上蒸镀形成电流阻挡层；在P电极扩展条制作区域的电流阻挡层上，由电流阻挡层向透明导电层分别刻蚀形成若干均匀分布的P电极注入孔道；对上述N电极流出孔道上方的电流阻挡层进行延续刻蚀；制作出P电极和P电极扩展条，N电极和N电极扩展条。本发明制作工艺简单、合理、方便，可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN105702828A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610212122.6
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L33/405 , H01L31/1884 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN205645859U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620196473.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，包括依次设置的衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在N电极连接在裸露的N‑GaN层上，在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。本实用新型通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。
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公开(公告)号：CN205595365U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620277105.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/44
Abstract: 本实用新型公开一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片，在衬底上依次形成N‑GaN、有源区和P‑GaN，该N‑GaN、有源区和P‑GaN形成外延结构；通过刻蚀将N‑GaN裸露，在裸露的N‑GaN上形成N电极，在P‑GaN表面形成电流扩展层，在电流扩展层上形成P电极；在外延结构的表面及侧面设计增透层，增透层由多层高低折射率的绝缘材料层交替堆叠，层数至少为3层，折射率排布为低/高/…/低/高/低，增透层总厚度为1000Å‑10000Å。本实用新型可以降低发光二极管芯片的表面光反射，提升二极管芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN205645852U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620343301.9
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，能够减少N‑GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN205645877U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620337327.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/54
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管技术领域。包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在刻蚀形成的裸露的N‑GaN层上设置N电极，在电流扩展层上设置P电极，在有源区、P‑GaN层和电流扩展层的外表面分别设置PV层，其特征在于在电流扩展层上表面的PV层呈凹凸形。本实用新型通过电流扩展层上表面呈凹凸形状的PV层，使PV层的等效折射率发生渐变，从而增强表面多角度的透射率，使更多的光能够出射，增加LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN205645856U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282725.9
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种正装GaN LED芯片，涉及发光二极管LED的生产技术领域。在衬底的同一侧依次各外延层和透明导电层、电流阻挡层，在电流阻挡层上分别布置P电极与P电极连接的P电极扩展条，在电流阻挡层上分别布置N电极与N电极连接的N电极扩展条，在P电极扩展条下方，自电流阻挡层至透明导电层分布若干P电极注入孔道，在N电极扩展条下方，自电流阻挡层至N‑GaN层分布若干N电极流出孔道。在同样尺寸的芯片下，本实用新型能有效地增加的发光面积，减少同驱动电流下的电流密度，减少droop效应，从而达到降低电压，提升亮度的目的。
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公开(公告)号：CN205645854U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620351092.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管，涉及发光二极管生产技术领域。在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。本实用新型可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN205645860U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282727.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。
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