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公开(公告)号：CN109524516B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p‑n结量子阱，以及连接p‑n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p‑n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p‑n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN109462145A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500232.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p-n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN108333679A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810144374.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法，实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片，硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物，顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小，具有高度的集成性，可应用于光子计算及可见光通信等领域，提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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公开(公告)号：CN107195733A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN103185909B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104297843A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/124 , B81C1/0015 , G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN102781072B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210262674.X
申请日：2012-07-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04W48/18
Abstract: 异构网络场景下无线资源管理的一个关键问题是网络选择，本发明提供了一种基于多属性决策和群组决策的网络选择方法。首先由多属性决策方法来得到主观与客观决策结果，利用层次分析法以及熵权法分别得到主观和客观决策结果，然后采用群组决策对主观和客观决策结果进行综合，并采用群组决策中的相容性理论对综合后结果的合理性进行判断，判断是否具有合理性，如果不合理，则需要修改决策，重新进行综合。最后将综合后的结果来对网络进行决策，为用户选择合适的网络。该方法不仅考虑到网络的客观属性，还考虑到了用户的偏好，保证了用户不会因为自己的偏好而选择一些性能较差的网络。本发明不但可以有效减少切换的次数而且还可以为用户提供满意的服务质量。
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公开(公告)号：CN104009393A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410179466.2
申请日：2014-04-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法。该方法首先利用在硅基p型氮化镓/量子阱/n型氮化镓材料，利用电子束刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺制备由单根悬臂梁支撑的非对称氮化镓悬空薄膜微腔，在晶片正面蒸镀上Au/Ni电极，在n型氮化镓表面蒸镀Au/Ti，采用超声波键合技术，在电极表面键合引线，最终制备完整的器件。对制备的器件施加合适的电流，获得单方向性发射的回音壁模紫外激光。
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公开(公告)号：CN103779452A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103633203A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107133.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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