公开(公告)号：CN103633203A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310107133.4

申请日：2013-05-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  于庆龙 ,  高绪敏 ,  施政 ,  曲颖 ,  贺树敏 ,  李欣 ,  王镇海

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。

公开(公告)号：CN103633203B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310107133.4

申请日：2013-05-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  于庆龙 ,  高绪敏 ,  施政 ,  曲颖 ,  贺树敏 ,  李欣 ,  王镇海

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。