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公开(公告)号：CN104297843B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103185909B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN104297843A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/124 , B81C1/0015 , G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103633203A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107133.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103630967A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107095.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种微机电可调氮化物光波导器件及其制备方法，其实现载体为高阻硅衬底氮化物晶片，该晶片包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件和微纳驱动器件结构，结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除氮化物光波导器件和微纳驱动器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物光波导器件；采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得分离的氮化物光波导器件和微纳驱动器件；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，利用氮化物器件层和空气的折射率差异，实现氮化物光波导器件对光场的约束；相邻波导器件之间的距离可以通过微机电驱动器进行调控，由于耦合距离的改变，从而实现对光波导器件光学性能的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103185918A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085681.1
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103048715A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310002458.6
申请日：2013-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种平面亚波长非周期高对比度光栅，包括高折射率材料器件层，所述高折射率材料器件层的上表面为长方形，且所述高折射率材料器件层上分布有平行于长方形短边的光栅，所述光栅的相位分布满足方程φ(y)=k0(y2/2fy)。本发明所设计的平面亚波长非周期高对比度光栅不需要改变光栅的设计结构，就可以使光栅获得相应的聚焦能力。
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公开(公告)号：CN103626115B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310107025.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法，该方法能够解决厚膜氮化物悬空器件的加工问题，获得厚度可控的超薄氮化物微纳静电驱动器。该氮化物微纳静电驱动器实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用电子束曝光技术定义微纳静电驱动器，并采用离子束轰击或反应离子束刻蚀方法在氮化物器件层实现器件结构；结合光刻技术，定义隔离槽，并采用反应离子束刻蚀方法刻蚀氮化物器件层至硅衬底；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除微纳静电驱动器下方硅衬底层，采用氮化物背后减薄刻蚀技术，实现驱动器固定部分和可移动部分的分离，获得硅衬底超薄氮化物微纳静电驱动器。
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公开(公告)号：CN103018827B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210570246.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接，另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接；光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，围绕C型谐振腔和光波导规则排列；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频，提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN103630966A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107094.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物光波导器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部的硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，利用氮化物器件层和空气的折射率差异，实现悬空氮化物光波导器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件结构，结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除氮化物光波导器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物光波导器件；进一步的可以采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得厚度可控的氮化物光波导器件，降低光波导器件的模式损耗。
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