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公开(公告)号：CN103811598B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310672969.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔；氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理；氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法，该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用，并且便于与硅基微电子加工技术集成，实现集成式硅基光电子系统。
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公开(公告)号：CN103972789A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410134928.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔，使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空，非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接，实现微腔内部光全反射传播，最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。
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公开(公告)号：CN103779452B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103779452A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103048715A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310002458.6
申请日：2013-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种平面亚波长非周期高对比度光栅，包括高折射率材料器件层，所述高折射率材料器件层的上表面为长方形，且所述高折射率材料器件层上分布有平行于长方形短边的光栅，所述光栅的相位分布满足方程φ(y)=k0(y2/2fy)。本发明所设计的平面亚波长非周期高对比度光栅不需要改变光栅的设计结构，就可以使光栅获得相应的聚焦能力。
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公开(公告)号：CN103972789B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410134928.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔，使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空，非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接，实现微腔内部光全反射传播，最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。
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公开(公告)号：CN103018827B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210570246.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接，另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接；光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，围绕C型谐振腔和光波导规则排列；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频，提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN103886485A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410105294.4
申请日：2014-03-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06Q30/02
Abstract: 本发明公开了一种基于同现性的关联规则标准评估方法，该方法是将数据集中的负项考虑进去作为评估标准的指标，计算同现性的期望值，再根据同现性和相关性的关系判断事件的相关性。本发明所述方法包括：步骤1：根据数据集计算四种情况下的置信度和支持度；步骤2：将上述步骤1中的计算结果代入同现性期望的表达式；步骤3：上述步骤2的值与0比较，这里0作为正同现和负同现的分界值；步骤4：根据步骤3的结果做出判断；如何结果大于0，判断A，B事件正同现，反之，A,B事件负同现；步骤5：根据同现性和相关性的关系，得到A，B事件是正相关还是负相关。
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