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公开(公告)号：CN109462145A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500232.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p-n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN107195733A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN107195733B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN107768976A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710998802.X
申请日：2017-10-23
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01S5/041 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器及其制作方法，属于信息材料与器件领域。通过曝光技术和氮化物刻蚀工艺，在顶层氮化物器件层形成波导和量子阱二极管的集成。利用聚焦离子束刻蚀技术，在波导上加工谐振光栅微腔，形成微腔结构，获得集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的硅衬底GaN基波导激光器。本发明提出的激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104119B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710213973.7
申请日：2017-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/58 , H01L21/784
Abstract: 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面，上台面与InGaN/GaN量子阱的底面连接，下台面上设置有n‑电极，n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层、p‑电极和n‑电极构成LED器件，LED器件上集成有光波导，在光波导上有支撑结构，在n‑GaN层下方设置有与p‑电极、n‑电极、耦合区和光波导的位置正对且贯穿硅衬底层、外延缓冲层的空腔。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输难题的同时，采用直波导耦合互连的方式，实现了片内不同光子器件之间的互连。
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公开(公告)号：CN107482031B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710675506.6
申请日：2017-08-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n‑电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p‑电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p‑GaN层、p‑电极和设置在n‑GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n‑电极，所有LED器件的n‑电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。
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公开(公告)号：CN107482031A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710675506.6
申请日：2017-08-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n-电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p-电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-GaN层、p-电极和设置在n-GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n-电极，所有LED器件的n-电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。
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公开(公告)号：CN107404067A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710518114.9
申请日：2017-06-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/20
Abstract: 本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件，设置在所述p-n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p-电极的引线电极区和n-电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN107104119A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710213973.7
申请日：2017-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/58 , H01L21/784
Abstract: 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面，上台面与InGaN/GaN量子阱的底面连接，下台面上设置有n‑电极，n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层、p‑电极和n‑电极构成LED器件，LED器件上集成有光波导，在光波导上有支撑结构，在n‑GaN层下方设置有与p‑电极、n‑电极、耦合区和光波导的位置正对且贯穿硅衬底层、外延缓冲层的空腔。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输难题的同时，采用直波导耦合互连的方式，实现了片内不同光子器件之间的互连。
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