公开(公告)号：CN107195733A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710311776.9

申请日：2017-05-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  王永进 ,  张帅 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  蔡玮 ,  沈湘菲 ,  张锋华 ,  秦川

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。

公开(公告)号：CN107482031B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201710675506.6

申请日：2017-08-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  张锋华 ,  王永进 ,  蒋元 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  秦川 ,  张帅

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n‑电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p‑电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p‑GaN层、p‑电极和设置在n‑GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n‑电极，所有LED器件的n‑电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。

公开(公告)号：CN107482031A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710675506.6

申请日：2017-08-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  张锋华 ,  王永进 ,  蒋元 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  秦川 ,  张帅

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n-电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p-电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-GaN层、p-电极和设置在n-GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n-电极，所有LED器件的n-电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。

公开(公告)号：CN107404067A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710518114.9

申请日：2017-06-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  沈湘菲 ,  王永进 ,  蒋元 ,  袁佳磊 ,  张锋华 ,  张帅 ,  秦川 ,  蒋燕

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/20

Abstract: 本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件，设置在所述p-n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p-电极的引线电极区和n-电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。

公开(公告)号：CN107195733B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201710311776.9

申请日：2017-05-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  王永进 ,  张帅 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  蔡玮 ,  沈湘菲 ,  张锋华 ,  秦川

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。