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公开(公告)号：CN111969983A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010697791.3
申请日：2020-07-20
Applicant: 南京大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明公开了一种电流减法电路。该电路包括9个晶体管，其中，晶体管M1的漏端和晶体管M5的漏端分别连接输入电流信号I1、I2；晶体管M1的源端、晶体管M3的栅端和漏端分别与晶体管M4的栅端相连；晶体管M2的源端和晶体管M4的漏端相连；晶体管M5的源端、晶体管M7的栅端和漏端分别与晶体管M8的栅端相连；晶体管M6的源端和晶体管M8的漏端相连；晶体管M2的漏端、晶体管M6的漏端、晶体管M9的栅端分别和晶体管M9的源端相连。本发明具有面积小，功耗低，成本低，集成度高等优点，能够很好地抑制微纳米工艺下晶体管的沟道长度调制效应，从而提高电流减法电路的线性度和精确度。
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公开(公告)号：CN109979930A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711458300.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的2×2阵列布局及工作方法。阵列由四个像元组成，每个像元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管，这两者形成在同一P型半导体衬底上方，并均采用复合介质栅结构；四个读取晶体管的衬底连成正八边环形结构并位于阵列的中心；正八边环形结构的四条边中，未覆盖复合介质栅的衬底中形成四个两两相对且互呈直角的重掺杂N+区，其中两个相对的重掺杂N+区互连构成共享的N+源极，另外两个互连构成共享的N+漏极；四个感光晶体管位于正八边环形结构的外侧且处于四个未进行N+重掺杂区域的一侧。本发明可以显著提高光敏探测器的填充系数，实现高的满阱电荷容量，且与浮栅CMOS工艺兼容，易于制造。
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公开(公告)号：CN108051609A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711282070.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 南京大学
IPC: G01P3/38
CPC classification number: G01P3/38
Abstract: 本发明提供一种基于单光子雪崩探测器线阵相机的测速装置及方法。使用单光子雪崩探测器为成像器件组成线阵相机用以速度测量，利用物体已知尺寸和其对应在图像中的纵向像素个数、相机单列拍摄积分时间以及相机拍摄角度来计算运动物体的速度。单光子雪崩探测器线阵的单元包括单光子雪崩探测器、淬灭和复位电路、计数器以及寄存器；单光子雪崩探测器的输出端依次连接淬灭和复位电路、计数器，计数器的输出端与寄存器连接；单光子雪崩探测器采用单光子雪崩二极管。本发明的装置和方法具有在光照较强的白天、光弱的黑夜和极端黑暗环境中均可以实现测速、且测速更加精确的显著优点。
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公开(公告)号：CN119521812A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411431535.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件，属于光电探测器与存储器领域。该多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件包括形成在半导体衬底中沿垂直方向依次排布的电荷读取层、电荷转移层和电荷存储层。其中电荷读取层为具备将电荷信号转化为电压或电流信号的读出功能以及将电荷信号重置为初态的复位功能的半导体器件，电荷转移层具备将电荷信号沿垂直方向转移的功能，电荷存储层具备存储单个或多个电荷包的功能，通过对不同层施加适当的电压，探测单元可以实现感光、转移、读取和复位。本发明的器件将光电探测功能从平面转为立体，可进行多光谱探测、光电倍增、数据存储等应用。
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公开(公告)号：CN119247089A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411438142.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅光敏探测器的非稳态激励噪声测试方法，属于成像探测器件的噪声测试技术领域。本发明的复合介质栅光敏探测器的非稳态激励噪声测试系统中待测的复合介质栅光敏探测器通过晶圆测试探针台的4个端口向外连接；电流电压信号采样分析仪的三个端口通过晶圆测试探针台连接到复合介质栅光敏探测器的漏、衬底和源电极，第四个端口连接到非稳态激励函数信号发生器的触发输入端口；非稳态激励函数信号发生器的信号输出端口通过晶圆测试探针台连接到光敏探测器的控制栅电极；经过硬件部分验测试后得到的实验原始数据将存储在电流电压信号采样分析仪中。本发明能实现从器件级的层面去获得芯片中某一个具体像素器件的噪声数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119201768A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411329111.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于地址自增机制的全片配置装置及方法。其装置包括数据传输模块、地址自增模块和数据配置模块；数据传输模块，用于处理数据读写请求，并根据请求生成相应的读写控制信号；地址自增模块，用于根据输入数据的位宽和单个地址配置数据的位宽，确定每次地址增加的步长，并且基于当前地址自动计算并更新配置地址；数据配置模块，用于基于地址自增模块输出的更新地址和数据传输模块输出的读写控制信号，执行指定地址的数据写入或读取操作。本发明通过统一的配置流程和地址自增机制，为芯片的全片配置提供一种高效可靠的数据配置方案，相较于传统方案，本发明能够实现更高效的全片配置过程，同时降低了硬件设计与验证的复杂度。
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公开(公告)号：CN118392303B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410847228.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: G01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器，属于半导体技术领域。通过改变背面深槽隔离介质的形状、表面掺杂及生长工艺等，形成不同深度下不同缺陷密度的深沟槽隔离介质，通过控制不同工艺的种类，制作所需通道数的多光谱探测器。再通过多光谱数据的解耦还原算法，插值补全像素的多通道数据，获得完整的多通道图像。本发明通过改造背面深槽隔离技术的使用方法，解决了单探测器获取多光谱数据分辨率严重降低的问题，达到了单探测器可获得N个通道光谱数据且基本不损失分辨率的效果。
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公开(公告)号：CN118431249A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410898204.5
申请日：2024-07-05
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/75 , H04N25/78
Abstract: 本发明公开了一种高信噪比的复合介质栅光敏探测器及阵列控制方法，属于成像探测技术领域。该复合介质栅光敏探测器包括4个成像单元和成像单元间的转移区，通过在光敏探测单元中设置转移区，并通过控制各成像单元的栅极电压使得各成像单元处于读出或复位状态，控制转移区的栅极电压使得相邻成像单元之间的收集区处于联通或隔离状态，在保留单一成像单元读出功能的前提下，实现了光敏探测单元中所有成像单元的信号电荷转移至一个成像单元后合并再读出的功能。该功能解决了弱光成像的问题，达到了提高图像的信噪比的效果。
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公开(公告)号：CN118098310A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410506320.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超前补偿型跨阻放大器的光电存算阵列读出电路，属于集成电路领域。该电路使用单一高增益高带宽放大器，通过超前补偿型跨阻放大器中Rf、Cf构成的并联反馈电路形成低频零点，提供信号快速通路，针对光电存算阵列负载的阻容电路进行超前补偿，设置Cf≈Cs，使该零点对应时间常数达到微秒量级，实现零点与极点基本互相抵消，在确保稳定性的前提下兼备电流拷贝和电流电压转换两个功能，减少了模拟域累加读出电路中高增益高带宽放大器的数目，从而降低功耗开销，与现有的模拟域累加电路相比，在保持了高精度、小面积的基础上，降低了功耗，满足了基于光电存算单元的高能效比的神经网络加速需求。
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公开(公告)号：CN112230709B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202011112962.8
申请日：2020-10-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现高精度光输入的光电计算装置及校准方法。其装置包括发光阵列、光电计算阵列和光学调制机构，发光阵列由多个发光单元周期性排列组成，光电计算阵列由多个光电计算单元周期性排列组成，光学调制机构用于对发光单元发出的光子进行调制；光电计算装置还包括辅助对准机构，辅助对准机构使得发光单元发出的光子经过光学调制机构后能够入射在计算关系上与发光单元相对应的光电计算单元中；辅助对准机构包括至少一个可成像阵列，可成像阵列与发光阵列或光电计算阵列二者之一在整个装置的光路中相对于另一者具有对易性。本发明不仅可以提高光输入的精度，而且可以方便地进行现场校准或调焦。
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