-
公开(公告)号：CN1321900C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510086564.2
申请日：2005-10-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98%/氧2%混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。
-
公开(公告)号：CN1821053A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610011195.5
申请日：2006-01-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: B82B3/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种低温无催化剂气相沉积制备四针状氧化锌纳米棒的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉放置于瓷舟中，然后将硅基片倒扣于瓷舟上，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，使用流量计调节通入石英管中的氩气和氧气的总流量及两种气体的比例。在此气氛下将管式炉升温至600℃～700℃，然后保温20～25分钟，之后取出硅片，其上沉积的白色绒状物即为所需产品。本发明的优点在于：实现了无催化剂、低温制备四针状ZnO纳米棒，并保证产品质量高、可控性好、形貌丰富，具备规模化生产的前景。
-
公开(公告)号：CN119160893B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411065979.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , C01B32/921
Abstract: 本发明涉及一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件，包括：利用湿法刻蚀法，从MXene前驱体中制备出二维MXene材料；利用MXene表面丰富的高电负性官能团，对MXene进行原位硫化，生长出微米级别的硫单质，得到的S@MXene可用于突触的活性电极材料。该活性电极材料活性位点多，有利于突触在脉冲曲线下表现出高的动态范围。负载硫颗粒的MXene可以进一步与一维纳米材料混合搅拌，超声，可得到进一步改性的活性电极材料。通过一维纳米材料的插层作用调控MXene层间距，可以得到不同阻变特性的突触器件。本发明工艺简单，易于规模化生产，可拓展性高，在神经形态器件领域拥有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN119553245A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411723520.5
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决铜层与石墨烯层之间的结合性较差，层间距较大，层间电子传输效果差，阻碍了石墨烯铜复合材料电导率的进一步提升的问题，本发明具体包括有以下步骤S1：准备石墨烯铜箔；S2：使用等离子体刻蚀技术，对所述石墨烯铜箔的正反两面的石墨烯层进行氧等离子刻蚀处理；S3：将两层以上所述步骤S2制得的氧刻蚀石墨烯铜箔进行层状堆叠，并且上层氧刻蚀石墨烯铜箔的反面对准下层氧刻蚀石墨烯铜箔的正面设置，以得到多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料；S4：将所述多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料进行真空热压，得到氧刻蚀石墨烯铜复合材料。
-
公开(公告)号：CN119364855A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411244086.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抗串扰高分辨率触觉感知器件及其制备方法，涉及触觉感知器件的技术领域，本发明旨在解决柔性触觉传感器在制备高分辨率时往往面临串扰的问题，使整个传感器的准确率下降的问题，本发明包括有底栅场效应管组件，所述底栅场效应管组件包括有漏极，所述漏极上覆盖有钝化层，所述钝化层上方还设置有原电池组件，所述原电池组件通过通道与所述源极接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119351982A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411532985.2
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , C23C14/14 , C23C14/30
Abstract: 一种石墨烯‑铜多层复合材料及其制备方法，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术沉积石墨烯层，随后采用电子束沉积技术沉积铜层，并重复这一过程以形成多层结构。石墨烯的体积分数控制在0.007‑0.010%之间，以优化导电性能。本发明的石墨烯‑铜多层复合材料在室温下的电导率达到105.1%IACS，展现出比纯铜基底高出约4.0‑5.0%的导电率，适用于高性能电子设备、电动汽车牵引电机、风力发电机等领域，同时也为发展新型电子器件如传感器、超级电容器提供了材料基础。
-
公开(公告)号：CN119097315A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411215904.6
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种粘附性低阻抗皮肤电极、应用及其制备方法，涉及生物电极的技术领域，本发明旨在解决凝胶刺激皮肤、随时间延长凝胶会失水导致性能下降、凝胶相对于皮肤的滑动会产生严重的运动伪影的问题，本发明包括有以下步骤：S1：制备MXene薄膜；S2：制备粘附性薄膜；S3：制备皮肤电极。
-
公开(公告)号：CN118905246A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037075.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的增材制造方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜复合材料制备过程中材料浪费和石墨烯层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉末；S2：SLM式3D打印，将步骤S1中混合后的石墨烯铜混合粉末装入3D打印设备粉仓内，设定激光功率、扫描速度，进行SLM选区激光熔化，并按照计算机生成的预加工件三维模型进行加工，在基板上进行打印；S3：线切割，运用线切割的方式对打印好的石墨烯铜复合材料工件进行线切割，得到高导电石墨烯铜复合材料。
-
公开(公告)号：CN118900539A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411037684.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导热导电氮化硼铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决制备出结合良好、高导热导电性能的六方氮化硼铜复合材料的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上沉积多层六方氮化硼以形成单元材料六方氮化硼包覆铜箔；S2：将步骤S1中生成的所述六方氮化硼包覆铜箔置于热压腔室内，并且所述六方氮化硼包覆铜箔不少于两块，将不少于两块的所述六方氮化硼包覆铜箔叠层后放入热压模具中，采用叠层热压工艺，将六方氮化硼包覆铜箔叠层热压成型，以得到高导热导电的氮化硼铜复合材料。
-
公开(公告)号：CN118420985A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410509947.9
申请日：2024-04-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene/羟乙基纤维素材料及其制备方法、应用，涉及低维材料的技术领域，本发明将羟乙基纤维素填充到MXene的层间，从而可控的改变层间距，并且可以根据需要调控电学性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
178
records
(took 0.021 seconds)
