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公开(公告)号：CN102446882B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110456464.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/78
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4821 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/142 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/49544 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L23/52 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L2224/16245 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/171 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/48247 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装中封装系统结构及制造方法。本半导体封装中封装系统结构包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。第一金属材料层和第二金属材料层分别配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。引线键合的IC芯片配置于芯片载体上。具有凸点的IC芯片的凸点倒装焊接配置于多圈引脚的内引脚上，通过塑封材料包覆具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片形成半导体封装中封装系统结构。本发明是基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103021889A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210548640.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种再布线AAQFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，依次采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻方法或者机械磨削方法形成独立的引脚。制造形成的再布线AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN103000648A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210478706.X
申请日：2012-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 大芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器技术领域。在晶圆第一表面中硅衬底上方的中央设置有光学交互区，在设置有光学交互区的一面连接有金属互联结构，硅衬底上光学交互区周围的I/O通过金属互联结构连接到电极垫；金属互联结的表面设置有保护层，并在保护层上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆的第一表面与玻璃片键合在一起，在玻璃片和晶圆之间形成空腔；晶圆的第二表面设置有TSV孔，通过TSV孔穿过硅衬底将电极垫连接到晶圆第二表面上面的焊盘垫，在TSV孔孔壁上依次制作有作钝化层和金属衬里，聚合物材料将TSV孔填充；在晶圆第二表面上制作防焊层，焊球制作在焊盘垫上。本发明改善了现有封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN102818765A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210310455.4
申请日：2012-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ0；由切应力门槛值τ0计算得到本发明所需要测量的“硅通孔”TSV-Cu残余应力。本发明最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响残余应力释放的操作，测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。
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公开(公告)号：CN102420205A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110344525.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种先进四边扁平无引脚封装及制造方法。本先进四边扁平无引脚封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中呈面阵排列分布。金属材料层配置于芯片载体和多个引脚的上表面和下表面位置。IC芯片配置于芯片载体上表面位置的金属材料层上，或者配置于多个引脚上表面位置的金属材料层上。绝缘填充材料配置于多个引脚的台阶式结构下和芯片载体的凹槽中。通过塑封材料包覆密封形成封装件，暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108376702A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810013391.9
申请日：2018-01-07
Applicant: 北京工业大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极，涉及先进输电技术用IGBT模块领域。将原来刚性凸台式发射极电极端部植入弹性多孔结构，制作成弹性多孔结构电极。在压接装配过程中，保证芯片不受损的情况下通过该结构的弹塑性变形有效的弥补由厚度差异带来的压力分布不均衡。本发明是利用3D打印技术中的选区激光熔化技术一体成型制备出弹性多孔结构电极，简化了生产工艺。同时通过合理选择端部多孔结构及材料，满足压接式IGBT中芯片高均流特性和高载流能力的要求。
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公开(公告)号：CN105097576B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510420460.4
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN103021876B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210549526.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种高密度QFN封装器件的制造方法。制造形成的高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、以及外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN105140140A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510420462.3
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L24/94
Abstract: 一种新型晶圆级焊锡微凸点的制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用以曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层-阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN103000649B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210480106.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。
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