-
公开(公告)号：CN103474459A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310403969.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。
-
公开(公告)号：CN102779851A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210232954.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。
-
公开(公告)号：CN102637733A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210121740.1
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设置有源区，有源区上方设置有电极，作为发射极引出；N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，栅氧化层上端设置有多晶硅栅，多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区，P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区，掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJIGBT结构的改进，增加了器件的耐压，器件具有较低的导通电压，同时提升了器件关断速度。
-
公开(公告)号：CN113169221B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080006544.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。
-
公开(公告)号：CN114598632A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210074247.2
申请日：2022-01-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04L45/02 , H04L45/24 , H04L45/74 , H04L69/18 , H04L101/622
Abstract: 本发明提供了一种数据传输方法、系统及介质，所述方法包括以下步骤：在远程零拷贝的过程中调用二层多路径，以获得可用的多路径信息；选用合适的一条或多条路径对数据进行分组和传输。相对于现有技术，本发明实现了在数据传输过程中提供更高的传输带宽，提高了网络利用效率，提高了数据传输速度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112955760B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202080005984.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
-
公开(公告)号：CN114008794A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080044170.3
申请日：2020-09-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法，包括无结纳米线(10)，源区(12)的外表面覆盖有源电极层(32)，其中，源电极层(32)和源区(12)的部分表面之间有源电介质层(22)；漏区(13)的外表面覆盖有漏电极层(33)，其中，漏电极层(33)和漏区(13)部分表面之间有漏电介质层(23)；环沟道区(11)的外周表面依次覆盖具有栅电介质层(21)、铁电材料层(50)以及栅电极层(31)。由于基于铁电材料的无结晶体管的负电容特性，当器件工作在积累区的时候，使得器件的驱动电流更大，提高了器件的开启速度；当器件工作在耗尽区时，使得器件的亚阈值斜率和泄漏电流减小，器件的功耗减小，极大地提高了器件的电学性能。
-
公开(公告)号：CN112955760A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202080005984.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
-
公开(公告)号：CN109979808A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910194173.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用。本申请的方法包括，沉积步骤，在碳化硅片背面沉积金属层；热反应步骤，在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，采用酸性溶液对碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，对碳化硅片进行水冲洗，干燥；机械磨削步骤，采用磨头对碳化硅片的背面进行磨削；去保护膜步骤，去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。本申请的方法，利用金属层中的金属在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，改变碳化硅背面表层的物理化学性质，降低表层硬度，使其能正常使用硅圆片减薄设备进行减薄，不仅减薄效果良好，而且极大的降低了碳化硅片产品的生产成本。
-
公开(公告)号：CN109742142A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811495340.0
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/778 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/335
Abstract: 本申请公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层、源极、栅极和漏极，由于该GaN基HEMT器件在制备过程中应用H等离子体处理技术将帽层制备成高阻态，以优化该GaN基HEMT器件的内部电场分布，降低了表面陷阱对器件性能的影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.047 seconds)
