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公开(公告)号：CN116110948A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310097037.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及其制备方法，所述二维多桥沟道晶体管包括基底和设置在所述基底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括设置在所述基底上栅金属层，环绕所述第一栅金属层而设置的第一高k栅介质层，环绕所述第一高k栅介质层的侧面而设置的低k栅介质层，设置在所述高k栅介质层和所述低k栅介质层上的二维半导体材料层，其中部分所述二维半导体材料被固态源掺杂源诱导相变成二维半金属/金属材料层。根据本发明的二维多桥沟道晶体管及其制备方法，降低了源漏接触电阻，实现了兼容于二维半导体集成电路的低k侧墙工艺，降低了寄生，提高了晶体管的速度。
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公开(公告)号：CN115411102A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210976880.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种冷源晶体管器件，其包括：基底层，冷源层，所述冷源层设置于所述基底层；其中，所述冷源层通过可打开带隙的冷源材料制备；过渡区，所述过渡区设置于所述基底层，并且与所述冷源层连接；沟道层，所述沟道层设置于所述基底层，并且与所述过渡区连接；第一栅介质层，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述沟道层的部分，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述过渡区的部分；以及第一栅电极，所述第一栅电极设置于所述第一栅介质层。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN110534563A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910642944.1
申请日：2019-07-16
Applicant: 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有自对准反馈栅结构的薄膜晶体管及制备方法。该方法通过在常规栅结构后进行赝侧墙层制备，用赝侧墙层作为自对准掩膜来实现对反馈栅介质层和反馈栅金属层的图形化，最后清洗掉赝侧墙层，并进行源漏金属电极的制备，源漏电极和反馈栅金属电极物理相连接和电学相连接。上述过程形成具有反馈栅结构的薄膜晶体管。本发明的方法提供了更精确尺寸的自对准反馈栅工艺，同时实现了漏端金属电极和反馈栅金属电极的材料、主栅介质和反馈栅介质的厚度和种类的灵活调整。
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公开(公告)号：CN110416308A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910730427.X
申请日：2019-08-08
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法，其中，所述碳纳米管三维鳍状晶体管是一种以狄拉克二维半金属为源漏极的基于内嵌栅鳍的晶体管结构，这种结构的碳纳米管三维鳍状晶体管在具有较小尺寸的同时，能够降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应，这是因为狄拉克二维半金属具有二维的超薄结构，将其作为碳纳米管三维鳍状晶体管的源极和漏极材料可以减小源漏极对于栅结构中的栅电极的静电屏蔽作用，从而降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应。另外，所述碳纳米管三维鳍状晶体管可以通过在内嵌金属栅鳍上施加电压，从而影响沟道内的电势分布，进而实现对器件阈值的分立调控作用，实现动态控制器件阈值的功能。
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公开(公告)号：CN106653930B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201611186119.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法。该光电探测器以半导体纳米材料作为电极之间的导电沟道，至少一端的电极采用等离激元增强电极结构，该等离激元增强电极结构采用斧状周期结构。在制备该光电探测器时，可以先得到沟道材料再制备等离激元增强电极结构在其上，也可以先制备等离激元增强电极结构再覆盖沟道材料。本发明可以有效地提高对特定波长范围(300‑10000纳米)入射光能量的利用率，起到提高量子效率的增强效果；且制作工艺简单，无需掺杂，电极加工与微加工方式兼容，尺寸可灵活设计以满足特定波长范围增强的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102751179B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210212244.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯器件的方法。该方法在对石墨烯材料进行光学光刻后，通过氯苯和除胶剂AR 300-70化学处理消除光刻工艺过程对石墨烯性能的影响，并可以对石墨烯的狄拉克点和沟道电阻进行调控。本发明工艺简单，可以批量生产石墨烯器件，大大提高了加工效率并且不损害石墨烯的优异性能。
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公开(公告)号：CN104362176A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410522966.1
申请日：2014-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78645 , H01L29/66484 , H01L29/66742 , H01L29/7831
Abstract: 本发明公开了一种高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法。该结构利用将漏端偏压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好的抑制漏端少子反向隧穿，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器件高性能的同时增大开关比，并显著抑制双极性。同时，本发明结合两步自对准工艺可将器件尺寸缩减，适合超大规模集成。
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公开(公告)号：CN104167451A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410320148.3
申请日：2014-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035218 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开一种基于量子点-碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法。该红外成像探测器包括：衬底；若干一维半导体性碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带，位于所述衬底上；形成电子和空穴欧姆接触的非对称接触电极，包含若干第一电极和若干第二电极；若干PbS量子点。采用蒸发驱动自组装的方法在衬底上排列若干一维半导体性碳纳米管或者若干半导体性碳纳米管薄膜条带；然后在其上形成第一电极和第二电极及其金属连接线的图案形状，并蒸镀电极的金属层，采用静电沉积的方法，将量子点沉积在导电沟道当中的碳纳米管薄膜之上。本发明既可以获得高的探测率又可以解决量子点的换成短链之后不稳定的问题，便于工业化的生产。
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公开(公告)号：CN102263121B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110202706.2
申请日：2011-07-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的霍尔集成电路及其制备方法。该霍尔集成电路包括霍尔元件和对霍尔元件输出的霍尔电压信号进行放大的放大器，霍尔元件和放大器中的场效应晶体管都采用石墨烯作为沟道材料，在制备工艺上具有很好的兼容性。而且本发明的霍尔集成电路具有较高的灵敏度和温度稳定性，在电压模式和电流模式下都可以较好地工作。
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公开(公告)号：CN102891251A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210340008.3
申请日：2012-09-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯霍尔元件的封装结构及封装方法。本结构包括一石墨烯霍尔元件，所述石墨烯霍尔元件包括石墨烯层，石墨烯层包括石墨烯沟道以及与石墨烯沟道端口一体的接触电极接触端，接触电极接触端上表面设有接触电极，位于所述接触电极之间的所述石墨烯沟道上表面设有有机薄膜层，所述有机薄膜层上设有无机薄膜层。本发明封装方法为在石墨烯霍尔元件接触电极之间的石墨烯沟道上表面制备有机薄膜层，然后在所述有机薄膜层上制备无机薄膜层。本发明的有机薄膜层既起到了封装作用，又在沟道图形形成过程中充当了刻蚀阻挡层的作用，因而减少了工艺步骤，降低器件制备成本。
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