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公开(公告)号：CN102751179B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210212244.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯器件的方法。该方法在对石墨烯材料进行光学光刻后，通过氯苯和除胶剂AR 300-70化学处理消除光刻工艺过程对石墨烯性能的影响，并可以对石墨烯的狄拉克点和沟道电阻进行调控。本发明工艺简单，可以批量生产石墨烯器件，大大提高了加工效率并且不损害石墨烯的优异性能。
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公开(公告)号：CN102891251A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210340008.3
申请日：2012-09-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯霍尔元件的封装结构及封装方法。本结构包括一石墨烯霍尔元件，所述石墨烯霍尔元件包括石墨烯层，石墨烯层包括石墨烯沟道以及与石墨烯沟道端口一体的接触电极接触端，接触电极接触端上表面设有接触电极，位于所述接触电极之间的所述石墨烯沟道上表面设有有机薄膜层，所述有机薄膜层上设有无机薄膜层。本发明封装方法为在石墨烯霍尔元件接触电极之间的石墨烯沟道上表面制备有机薄膜层，然后在所述有机薄膜层上制备无机薄膜层。本发明的有机薄膜层既起到了封装作用，又在沟道图形形成过程中充当了刻蚀阻挡层的作用，因而减少了工艺步骤，降低器件制备成本。
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公开(公告)号：CN102891251B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210340008.3
申请日：2012-09-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯霍尔元件的封装结构及封装方法。本结构包括一石墨烯霍尔元件，所述石墨烯霍尔元件包括石墨烯层，石墨烯层包括石墨烯沟道以及与石墨烯沟道端口一体的接触电极接触端，接触电极接触端上表面设有接触电极，位于所述接触电极之间的所述石墨烯沟道上表面设有有机薄膜层，所述有机薄膜层上设有无机薄膜层。本发明封装方法为在石墨烯霍尔元件接触电极之间的石墨烯沟道上表面制备有机薄膜层，然后在所述有机薄膜层上制备无机薄膜层。本发明的有机薄膜层既起到了封装作用，又在沟道图形形成过程中充当了刻蚀阻挡层的作用，因而减少了工艺步骤，降低器件制备成本。
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公开(公告)号：CN102751179A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210212244.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯器件的方法。该方法在对石墨烯材料进行光学光刻后，通过氯苯和除胶剂AR 300-70化学处理消除光刻工艺过程对石墨烯性能的影响，并可以对石墨烯的狄拉克点和沟道电阻进行调控。本发明工艺简单，可以批量生产石墨烯器件，大大提高了加工效率并且不损害石墨烯的优异性能。
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