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公开(公告)号：CN1405903A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02142450.0
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN104641453B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN104250853A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410411963.0
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底，所述主面具有选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的面取向，所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种：1×1016cm-3以上且4×1019cm-3以下的氧原子浓度，和6×1014cm-3以上且5×1018cm-3以下的硅原子浓度。由此，本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。
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公开(公告)号：CN101421443B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200780013655.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B19/12 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B19/00 , C30B33/10 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了体III族氮化物晶体的制造方法，由此至少表面的位错密度普遍较低。当前的III族氮化物晶体制造方法包括：制备包含III族氮化物籽晶的下衬底(1)的步骤，III族氮化物籽晶具有基体(1s)和反转域(1t)，在反转域中， 方向的极性相对于基体(1s)而被反转；通过液相法而在衬底(1)的基体(1s)和反转域(1t)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤；其特征在于，第一区域(10s)覆盖第二区域(10t)，其中，在第一区域(10s)中，生长到基体(1s)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较大，在第二区域(10t)中，生长到反转域(1t)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较小。
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公开(公告)号：CN102465343A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110359911.X
申请日：2011-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲而不会在衬底中产生裂纹的GaN基膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102465342A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110358558.3
申请日：2011-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。
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公开(公告)号：CN102011191A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010243313.1
申请日：2010-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/36 , H01L33/0075 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1624944B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN101421443A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013655.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B19/12 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B19/00 , C30B33/10 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了体III族氮化物晶体的制造方法，由此至少表面的位错密度普遍较低。当前的III族氮化物晶体制造方法包括：制备包含III族氮化物籽晶的下衬底(1)的步骤，III族氮化物籽晶具有基体(1s)和反转域(1t)，在反转域中， 方向的极性相对于基体(1s)而被反转；通过液相法而在衬底(1)的基体(1s)和反转域(1t)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤；其特征在于，第一区域(10s)覆盖第二区域(10t)，其中，在第一区域(10s)中，生长到基体(1s)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较大，在第二区域(10t)中，生长到反转域(1t)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较小。
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公开(公告)号：CN100413102C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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