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公开(公告)号：CN101329894B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810040948.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。
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公开(公告)号：CN101976724A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010255203.7
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元的SPICE模型系统，其包括：相变电阻模块、温度计算模块、状态存储模块和结晶率计算模块。相变电阻模块主要用于表述相变存储单元的电阻模型，温度计算模块用于计算相变存储单元在电压或电流作用下的温度情况，状态存储模块用于存储相变存储单元Set和Reset状态的变化，结晶率计算模块用于相变存储单元温度变化时的结晶率的变化情况。采用Verilog-A语言进行描述，对相变存储单元可以进行模拟，调节各个参数，可以得到和实际测试结果相吻合的结果，并提供给电路设计者使用。
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公开(公告)号：CN100570747C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810041414.3
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电路、及灵敏放大器，所述读写驱动电路通过读比较电阻连接所述灵敏放大器；所述各存储单元包括一个选通二极管及至少两个相变存储单元；所述各相变存储单元并联后与所述选通二极管连接。本发明的相变存储器采用1DnR存储单元结构，从而减少了选通二极管占用的芯片面积。
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公开(公告)号：CN112311361B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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公开(公告)号：CN113517015A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110471674.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率，并且降低了功耗，提高了效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112285519A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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公开(公告)号：CN110600068A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910743318.1
申请日：2019-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质，该方法包括确定被一幅值区间内多个不同幅值的脉冲作用的存储器的阻值区间，确定阻值区间内的待选阻值对应的第一脉冲，根据第一脉冲作用于存储器得到的第一阻值确定预选阶梯脉冲的幅值区间，根据第一脉冲的幅值调节预选阶梯脉冲的子脉冲的脉宽，得到目标阶梯脉冲。基于本申请实施例，优化后的阶梯脉冲作用于存储器，比单脉冲或等宽阶梯脉冲作用于存储器得到的阻值更低。
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公开(公告)号：CN107886993A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711022722.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/50
CPC classification number: G11C29/50 , G11C2029/5004
Abstract: 本发明提供一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路，包括用于进行信息存储的存储器阵列；并联于存储器阵列的位线上的缓冲隔离单元，从缓冲隔离单元的输出端获取存储器阵列中存储单元操作时的位线电压，并将要读取的位线电压与测试端隔离，减小测试端引入的电容对要读取的位线电压的影响，进而提高测试结果的准确性。本发明采用电压跟随器与位线并联的电路结构来测试存储单元操作时的电压，电压跟随器输出电压近似输入电压幅度，并对前级电路呈高阻状态，对后级电路呈低阻状态，因而起到“隔离”作用；通过位线输入操作被选中的相变存储器单元时，电压跟随器可以测试出通过存储单元的电压，提高测试进度并测试得到存储单元的电压降。
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公开(公告)号：CN107591186A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN105810242A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610118179.X
申请日：2016-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/02 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/3495
Abstract: 本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数，根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系，调整所述写操作和擦操作电流信号。所述相变存储器还包括行译码器、列译码器和读电路模块。本发明通过增加操作次数比较器，监测存储单元的操作条件，实时动态调整操作电流的幅值以及持续时间，从而有效的提高相变存储器的疲劳操作寿命。
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