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公开(公告)号：CN106145021A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510137590.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光学微纳谐振腔结构及其制作方法，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本发明利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本发明利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105914445A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610301900.9
申请日：2016-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹槽；2）定义器件区域，并去除器件区域的顶层硅，露出下方所述绝缘层的上部表面；3）制备射频共面波导元件。本发明基于图形化的绝缘体上硅衬底，通过后期刻蚀得到了具有衬底空腔的共面波导，空腔结构中的空气介质使得衬底的等效电容减小、等效电阻增大，消除了SiO2中的固定电荷、可动电荷，Si/SiO2系统的界面态、陷阱电荷等影响微波传输的不利因素，从而减小了介质损耗，提高了共面波导的传输性能。
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公开(公告)号：CN105895702A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610236469.4
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体接触区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形成NMOS器件的源、漏区和PN结器件，再进行P型重掺杂形成NMOS器件的体接触区；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行N型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将NMOS器件的栅和PN结器件的N区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体接触区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了N型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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公开(公告)号：CN105866983A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610216678.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015 , H01L31/115 , B82Y30/00
CPC classification number: G02F1/015 , B82Y30/00 , G02F2001/0154 , H01L31/115
Abstract: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。
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公开(公告)号：CN105866885A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510031371.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560153B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201310574824.5
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底，在所述顶层硅两侧进行离子注入分别形成源极和漏极；在所述SOI衬底表面自下而上依次形成本征硅层、栅介质层和栅极层；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述本征硅层、栅介质层和栅极层形成堆叠结构，所述堆叠结构与所述源极部分交叠、与所述漏极在水平方向上具有一预设距离。本发明利用所述堆叠结构与源极的交叠，可以增大隧穿面积，进而增大驱动电流；另外，所述堆叠结构与所述漏极在水平方向上具有一预设距离，通过该预设距离可以抑制隧穿场效应晶体管中的双极性效应，降低亚阈电流。
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公开(公告)号：CN105633002A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511019607.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L27/1207
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述图形化绝缘体上硅衬底材料包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，且于对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；顶层硅，结合于所述绝缘层表面。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽，该凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层，使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明结构及方法简单，可有效提高器件的可靠性，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103187248B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110449534.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法，通过在绝缘层上形成生长窗口在具有第一晶向的衬底上形成具有第二晶向的全局GOI，然后在具有第二晶向的衬底上形成具有第二晶向的Ge层，以制备出混合晶向绝缘体上锗晶片。在具有（100）晶向的Ge层制备NMOS器件，在具有（110）晶向的Ge层制备PMOS器件，在保证NMOS载流子迁移率的同时，大大地提高了PMOS载流子的迁移率，从而提高器件的整体驱动电流，降低了寄生电容，有利于电路集成度的提高。本发明工艺步骤简单，适用于半导体工业生产。
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公开(公告)号：CN102790084B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110126382.9
申请日：2011-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/8258
Abstract: 本发明提供了一种锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法。绝缘体上锗和III-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在绝缘层上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的III-V族半导体材料。形成该半导体结构的制备方法包括：制备全局绝缘体上锗衬底结构；在绝缘体上锗衬底结构上制备III-V族半导体材料层；进行第一次光刻，将图形化窗口刻蚀至锗层以形成凹槽；在所述凹槽中制备侧墙；采用选择性外延制备锗薄膜；进行化学机械研磨以获得锗和III-V族半导体材料共平面的异质集成半导体结构；去除侧墙及紧靠侧墙处的缺陷锗层部分；实现锗和III-V族半导体材料之间的隔离；通过形成MOS结构制备包含锗沟道PMOS和III-V沟道NMOS的高性能CMOS器件。
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公开(公告)号：CN105374664A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510695855.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02392
Abstract: 本发明提供一种InP薄膜复合衬底的制备方法，包括步骤：提供InP衬底，所述InP衬底具有注入面，从所述注入面进行离子注入，在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；然后提供支撑衬底，将经过离子注入的衬底的注入面与机械强度较高、密度较小的支撑衬底键合形成复合结构；最后将InP沿缺陷层分离，形成高机械强度衬底上的InP薄膜复合衬底。本发明通过离子注入与键合，可以形成具有高机械强度的InP薄膜复合衬底，薄膜中的位错密度明显低于异质外延的InP薄膜，并且可以从一片InP材料上循环分离出来很多薄膜，提高InP材料的利用率，降低InP耗材成本。利用低密度的支撑衬底可以降低整个复合衬底的重量，适合空间应用。
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