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公开(公告)号：CN104570207A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510028170.5
申请日：2015-01-20
申请人： 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1225
摘要： 本发明提供一种大角度准自准直光子晶体及其准直度定量方法，所述大角度准自准直光子晶体至少包括：矩形晶格光子晶体介质柱；位于该光子晶体外起抗反射层作用的单排抗反射介质柱；所述光子晶体介质柱及所述抗反射介质柱处在空气介质中，可通过刻蚀SOI衬底的顶层硅得到。本发明的优点包括：基于最小二乘法来定量光子晶体等频线的准直度，改变光子晶体晶格对称性可实现准自准直光束传播，同时通过优化单排光子晶体介质柱的结构参数，可使得大角度入射光束能高效耦合进入准自准直光子晶体，制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN106145021A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510137590.7
申请日：2015-03-26
申请人： 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种光学微纳谐振腔结构及其制作方法，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本发明利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本发明利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104570207B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510028170.5
申请日：2015-01-20
申请人： 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明提供一种大角度准自准直光子晶体及其准直度定量方法，所述大角度准自准直光子晶体至少包括：矩形晶格光子晶体介质柱；位于该光子晶体外起抗反射层作用的单排抗反射介质柱；所述光子晶体介质柱及所述抗反射介质柱处在空气介质中，可通过刻蚀SOI衬底的顶层硅得到。本发明的优点包括：基于最小二乘法来定量光子晶体等频线的准直度，改变光子晶体晶格对称性可实现准自准直光束传播，同时通过优化单排光子晶体介质柱的结构参数，可使得大角度入射光束能高效耦合进入准自准直光子晶体，制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN106145021B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510137590.7
申请日：2015-03-26
申请人： 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种光学微纳谐振腔结构及其制作方法，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本发明利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本发明利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN204529301U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520177296.4
申请日：2015-03-26
申请人： 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本实用新型提供一种光学微纳谐振腔结构，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本实用新型利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本实用新型利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115979758A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310004190.3
申请日：2023-01-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种芯片制样装置及方法，方法包括：待表征样品设置于压印薄膜上；将待表征样品与表征芯片上的观察窗对准；移动支撑结构靠近表征芯片，至待表征样品压合至观察窗上；移动支撑结构远离表征芯片，使待表征样品与所述压印薄膜分离以留在表征芯片的观察窗上。本发明通过压印薄膜将待表征样品转移至表征芯片的观察窗，不会对表征芯片的悬浮薄膜及其观察窗造成损伤，且可实现样品在观察窗上的高精度定位，适用于各种具有复杂热、力、电学微结构的表征芯片；同时，制样设备便携、操作方便、低成本，制样过程无需溶液，不会污染表征芯片，影响表征观察；此外，可对同一表征芯片上多个观察窗逐一制备一种或多种样品，显著降低了表征成本。
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公开(公告)号：CN112935274B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110112853.4
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： B22F9/30 , B22F1/054 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C18/14 , C01B32/184 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供一种柔性衬底上生长高熵合金纳米颗粒的方法，包括：获取柔性衬底；采用激光直写技术在所述柔性衬底上生长具有预设形状的三维石墨烯薄膜；获取高熵合金纳米颗粒的前驱体溶液；将所述前驱体溶液滴加至所述三维石墨烯薄膜上，形成预处理样品；采用激光直写技术对所述预处理样品上的三维石墨烯薄膜进行辐射加热处理，获取所述高熵合金纳米颗粒。基于上述技术方案，能够有效提高高熵合金纳米颗粒尺寸的均一性及合金总的负载量；且有效避免对柔性衬底造成高温热损伤；同时，脉冲激光热解生长机制也有利于得到具有单一物相的高熵合金纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN113979485A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111242255.5
申请日：2021-10-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01G53/00
摘要： 本发明提供一种透射电镜‑热重关联表征金属氢氧化物的方法，通过TEM‑TG联用芯片中的称重悬臂梁用以称量金属氢氧化物样品在升温过程中的质量变化，同时通过TEM‑TG联用芯片中的观测悬臂梁用以观察金属氢氧化物样品在升温过程中的形貌变化；从而本发明可对金属氢氧化物样品同步进行透射电镜‑热重的关联表征，实现在金属氢氧化物样品热重分析过程的同时表征金属氢氧化物样品的形貌/结构的演变，提高金属氢氧化物样品质量分辨率，使得测试结果更精准。
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公开(公告)号：CN112924510A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110112833.7
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/30
摘要： 本发明提供一种石墨烯基高熵合金纳米颗粒及其制备方法和应用，石墨烯基高熵合金纳米颗粒的制备方法包括：获取高熵合金纳米颗粒的前驱体溶液；将预设量的氧化石墨烯粉末分散至所述前驱体溶液中，形成混合溶液；对所述混合溶液进行抽滤处理，获取负载有金属盐的氧化石墨烯自支撑膜；采用激光直写技术对所述负载有金属盐的氧化石墨烯自支撑膜进行辐射加热处理，获取石墨烯基高熵合金纳米颗粒。基于上述技术方案，能够实现石墨烯载体上吸附的金属盐的快速热分解；能够有效抑制低元合金杂质相的析出，得到具有单一物相结构的高熵合金纳米颗粒；且能够实现高熵合金纳米颗粒的简单且快速的大规模合成。
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公开(公告)号：CN109682710A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910067908.7
申请日：2019-01-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： G01N5/00 , G01N1/28 , G01N23/04 , H01J37/261
摘要： 本发明提供一种用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：检测悬臂梁、主芯片凹槽、具有观测孔的观测悬臂梁、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过检测悬臂梁的谐振用以检测位于检测悬臂梁上的待测样品的质量变化；主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间；TEM通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于观测悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现形貌变化及质量变化的间接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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