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公开(公告)号：CN103986489A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410226027.2
申请日：2014-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明提供一种频率扩展结构，所述频率扩展结构包括混频器以及巴伦结构；其中：所述混频器包括RF输入端口、LO输入端口及两个输出端口，待处理信号输入到所述RF输入端口，本振信号输入到所述LO输入端口，两个输出端口分别输出I/Q两路信号；所述巴伦结构包括隔离输出端口、中频输出端口及两个输入端口，两个输入端口分别连接所述混频器的两个输出端口，所述隔离输出端口连接匹配负载，所述中频输出端口输出中频信号。本发明的一种频率扩展结构，可以有效的降低待处理信号的噪声，减小变频时的变频损耗，获得比较好的噪声系数，实现频率变换的功能且输出的中频信号为单边带信号，从而大大提高了信号的精确度，满足后续处理的要求。
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公开(公告)号：CN119892092A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411856511.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含失调校正的高速模拟比较器电路，包括三级信号放大级电路和电压失调校正电路，三级信号放大级电路包括级联的第一级电路部分、第二级电路部分和第三级电路部分；第一级电路部分用于提供一个增益来衰减所述第二级电路部分和第三级电路部分的噪声、失调和回踢；第二级电路部分用于以指数方式增加信号的差分输出；第三极电路部分采用双向锁存结构来最小化再生时间；第一级电路部分还连接有辅助输入支路；电压失调校正电路用于在校正模式下通过检测三级信号放大级电路的输出来对辅助输入支路的电容进行充放电，以控制辅助支路的共模电平来减小电压失调。本发明能够满足高速高精度ADC设计的需求。
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公开(公告)号：CN119129500A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411133016.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/39 , G06F30/27 , G06N3/04
Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络的射频螺旋电感可缩放模型构建方法和装置，其中，方法包括：获取不同螺旋电感的物理尺寸参数；对每个螺旋电感建立π型等效电路模型，并获取π型等效电路模型中每个元件的参数；将每个螺旋电感的物理尺寸参数和对应的π型等效电路模型中每个元件的参数作为一组数据，形成数据集，并将数据集分为训练集和测试集；构建神经网络模型，采用训练集对所述神经网络模型进行训练，得到螺旋电感的物理尺寸参数与π型等效电路模型中各个元件的参数的关系式；采用测试集对得到的关系式进行测试，并在测试通过后将得到的关系式带入模型文件，得到射频螺旋电感可缩放模型。本发明能够降低集总元件的参数获取难度，提高器件仿真效率。
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公开(公告)号：CN113922790A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111181047.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03J3/02
Abstract: 本发明提供一种基于群时延调谐的功率合成电路及信号传输系统，包括：低噪声放大器，将电磁信号进行预防大；群时延调谐模块，通过外部电压调谐的方式来调整器件的群时延特性，从而改变功率放大电路的功率合成效果；峰值检波，连接在输出端用于检测信号输出的最大功率，并配合运放电路以及阈值电压控制电路实现对群时延调谐模块的调谐控制，形成完整的反馈回路。本发明可以有效的提升功率合成电路的合成效果，改善功率放大电路的放大效率，降低功耗，且通过反向调谐的方式还可以在一定程度上实现小范围的增益控制与补偿功能，可以应用于平坦群时延电路以及高功率合成效率的电路中。
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公开(公告)号：CN112636843B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011520529.8
申请日：2020-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海明垒实业有限公司
Abstract: 本发明提供一种扩频模块及在片测试系统，包括：微波开关，将激励信号发送至第一或第二倍频器；放大器，对第二倍频信号进行放大；定向耦合器，将信号传输至双定向耦合器；双定向耦合器，将定向耦合器的输出信号的一部分直通输出，另一部分耦合输出作为参考信号，并将测试件的反馈信号通过另一耦合支路耦合输出；衰减器，对第一倍频信号进行衰减得到线性参数，将第二倍频信号直接输出得到非线性参数；第一混频器，产生参考中频信号；第二混频器，产生测试中频信号。本发明采用微波开关切换的方式获得小信号和大信号，同时设置在片高低温探针台，进而在高低温环境下完成毫米波太赫兹放大器芯片的线性和非线性参数幅相误差校准及连续频率扫描测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103986489B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410226027.2
申请日：2014-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明提供一种频率扩展结构，所述频率扩展结构包括混频器以及巴伦结构；其中：所述混频器包括RF输入端口、LO输入端口及两个输出端口，待处理信号输入到所述RF输入端口，本振信号输入到所述LO输入端口，两个输出端口分别输出I/Q两路信号；所述巴伦结构包括隔离输出端口、中频输出端口及两个输入端口，两个输入端口分别连接所述混频器的两个输出端口，所述隔离输出端口连接匹配负载，所述中频输出端口输出中频信号。本发明的一种频率扩展结构，可以有效的降低待处理信号的噪声，减小变频时的变频损耗，获得比较好的噪声系数，实现频率变换的功能且输出的中频信号为单边带信号，从而大大提高了信号的精确度，满足后续处理的要求。
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公开(公告)号：CN104122442A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410354326.4
申请日：2014-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种毫米波自由振荡源自动测试系统及测试方法，其中，所述毫米波自由振荡源自动测试系统至少包括：待测毫米波自由振荡源；直流电压源，连接于所述待测毫米波自由振荡源；定向耦合器，其输入端口连接于所述待测毫米波自由振荡源；衰减器，连接于所述定向耦合器的耦合输出端口；混频器，连接于所述衰减器；频谱分析仪，连接于所述混频器；功率传感器，连接于所述定向耦合器的直通输出端口；功率计，连接于所述功率传感器。本发明能够通过单次连接就可以实现毫米波自由振荡源多个性能参数同步测试，并能同步保存测试数据以便后续处理，可实现毫米波全频段内毫米波自由振荡源输出频率、输出功率、直流功耗的自动化测试。
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公开(公告)号：CN102323531B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110139533.4
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种毫米波功率放大器的参数自动测试方法与测试系统，该系统包括：待测件毫米波激励信号功率控制单元与待测件毫米波激励信号发生单元相连，待测件毫米波激励信号检测单元与待测件毫米波激励信号功率控制单元相连，待测件的输入端与待测件毫米波激励信号检测单元相连，输出端与待测件输出信号检测单元相连；待测件直流信号供给单元与待测件相连，测试系统控制单元分别与待测件毫米波激励信号发生单元、待测件毫米波激励信号检测单元、待测件直流信号供给单元、和待测件输出信号检测单元控制相连。本发明实现了多个毫米波功率参数自动测试，克服了测试设备缺乏的困难，避免了手工测试效率低、精确度低、不确定因素多等缺点。
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公开(公告)号：CN111612034B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010297511.X
申请日：2020-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06V10/774 , G06V10/764
Abstract: 本申请实施例所公开的一种对象识别模型的确定方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括确定装置获取第一图片集合和第二图片集合，基于对象识别模型集合中的每个对象识别模型，确定第一图片集合中待识别对象集合的第二类别信息集合和第二位置数据集合，并从对象识别模型集合中确定对象识别模型，确定装置还基于对象识别模型，并从第二图片集合中确定目标图片集合，利用目标图片集合对对象识别模型进行训练，得到训练后的对象识别模型。基于本申请实施例，不仅可以从第二图片集合中筛选出标注质量较高的目标图片，提高用于训练对象识别模型的图片的干净程度，而且还可以改善对象识别模型的识别效果，提高毫米波图像中危险品的识别率。
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公开(公告)号：CN117577678A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311302464.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种低关态漏电流GaN HEMT器件及其制备方法，包括：缓冲层(1)；位于所述缓冲层(1)之上的势垒层(2)；位于所述势垒层(2)上方两侧的漏极(3)和源极(4)；所述漏极(3)和源极(4)与所述势垒层(2)接触并形成欧姆接触区域；所述欧姆接触区域为阶梯型结构。本发明通过阶梯型结构保证了电流主要流经通道的良好接触，使得导通时输出特性基本不改变；通过扩展其他通路的长度来降低器件在关断状态下的漏电流，器件漏电流的减小可以提升器件的关断特性，优化其在数字电路应用中的性能。
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